Influence of temperature on chemical mechanical polishing removal rate of sapphire substrate for GaN growth

摘要

化学机械抛光技术可用于生产高质量的加工表面。在蓝宝石衬底CMP过程中高的抛光速率及好的表面质量是最终的目标。在抛光液及抛光参数不变的条件下对(0001)蓝宝石衬底的去除速率与抛光温度之间的关系进行了研究。采用抛光碱性介质及粒径15-25nm和浓度20%(质量分数)的SiO2磨料。pH值为11. 26。表面质量依据RMS粗糙度由原子力显微镜测定。结果表明随抛光温度的升高，去除速率随之提高。在抛光温度40度及抛光压力0.05MPa条件下，去除速率可达4. 96um/h，粗糙度达0.1nm。在一定的温度范围内，随温度的升高去除速率也提高这一结果表明化学作用明显受温度的影响，并在一定机械作用条件下对动力学过程起控制作用。