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机译:基于纳米氧化铪的铁电场效应晶体管切换动力学
NaMLab gGmbH D-01187 Dresden Germany;
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NaMLab gGmbH D-01187 Dresden Germany;
NaMLab gGmbH D-01187 Dresden Germany;
Fraunhofer IPMS CNT D-01099 Dresden Germany;
Fraunhofer IPMS CNT D-01099 Dresden Germany;
GLOBALFOUNDRIES D-01109 Dresden Germany;
GLOBALFOUNDRIES D-01109 Dresden Germany;
NaMLab gGmbH D-01187 Dresden Germany;
NaMLab gGmbH D-01187 Dresden Germany;
ferroelectric switching; hafnium oxide; domain; nucleation; field-effect transistor;
机译:基于纳米氧化铪的铁电场效应晶体管切换动力学
机译:具有陡峭的亚阈值斜率和高开关态电流比的硅掺杂氧化ha铁电PN–PN–PN SOI隧穿场效应晶体管
机译:电场梯度控制域切换,用于基于HFO_2的铁电场效应晶体管的尺寸抗效效应多级操作
机译:Ge Ge氧化锆纳米线铁电场效应晶体管中极化转换的时间响应
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:可切换氧空位偶极子实现的ZrO2铁电场效应晶体管
机译:基于纳米氧化铪的铁电场效应晶体管切换动力学