机译:氦离子显微镜中电压对比度的导电结构缺陷定位和纳米制剂
Carl Zeiss SMT Inc PCS Integrat Ctr One Corp Way Peabody MA 01960 USA;
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nanofabrication; voltage contrast; defect; helium ion microscopy; etching; XeF2; focused ion beam;
机译:氦离子显微镜中电压对比度的导电结构缺陷定位和纳米制剂
机译:通过电压对比扫描电子显微镜对单壁碳纳米管中的缺陷和结进行成像
机译:使用电压对比I_DDQ测试进行缺陷定位
机译:使用导电原子力显微镜的Mol和Feol掩埋缺陷的故障隔离作为被动电压对比度成像的补充
机译:脉冲激光辐照诱发的钼,镍和铋单晶表面缺陷结构的研究:LEED和单正氦离子通道(热应力,滑动,位移)表征。
机译:使用氦离子显微镜审查缺陷工程离子植入和纳米制剂
机译:具有氦离子显微镜成像的被动电压对比度应用
机译:通过Z对比sTEm(扫描透射电子显微镜)直接成像原子结构和缺陷和界面的化学。