机译:单层MOS2场效应晶体管中金属触点的电子照射
Univ Salerno Dept Phys I-84084 Fisciano Italy;
Univ Duisburg Essen Fak Phys D-47057 Duisburg Germany;
CNR SPIN I-84084 Fisciano Italy;
Univ Salerno Dept Phys I-84084 Fisciano Italy;
Univ Aquila Dept Phys &
Chem Sci I-67100 Laquila Italy;
CNR SPIN I-84084 Fisciano Italy;
Univ Salerno Dept Phys I-84084 Fisciano Italy;
Univ Duisburg Essen Fak Phys D-47057 Duisburg Germany;
Univ Duisburg Essen Fak Phys D-47057 Duisburg Germany;
Univ Duisburg Essen Fak Phys D-47057 Duisburg Germany;
Univ Duisburg Essen Fak Phys D-47057 Duisburg Germany;
Univ Salerno Dept Phys I-84084 Fisciano Italy;
molybdenum disulfide; field-effect transistors; Schottky barrier; scanning electron microscopy; Raman spectroscopy; photoluminescence; electron beam irradiation; electron interactions in solids;
机译:单层MOS2场效应晶体管中金属触点的电子照射
机译:单层MOS2场效应晶体管,具有低肖特基势垒高度,具有铁磁金属触点
机译:自组装单分子膜在MoS2场效应晶体管中用于选择性去除金属和超薄栅极电介质的用途
机译:通过10keV电子束照射改变二维场效应晶体管中的触点和通道特性
机译:Si纳米线和基于二维MoS2的场效应晶体管中的电子传输和低频噪声表征。
机译:局部氦离子辐射对合成单层MOS2场效应晶体管性能的影响
机译:使用TiO2界面层在金属/ MOS2触点(PHY)的稳定MOS2场效应晶体管