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机译:SiC(0001)上的氧气嵌入石墨烯:多相SiOx层形成及其对石墨烯电子性能的影响
Univ Fed Minas Gerais Dept Fis Av Pres Antonio Carlos 6627 Belo Horizonte MG Brazil;
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Univ Fed Ouro Preto Dept Fis Ouro Preto MG Brazil;
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Univ Fed Uberlandia Inst Fis CP 593 BR-38400902 Uberlandia MG Brazil;
Leibniz Inst Forschungsverbund Berlin eV Paul Drude Inst Festkorperelekt Hausvogteipl 5-7 D-10117 Berlin Germany;
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机译:SiC(0001)上的氧气嵌入石墨烯:多相SiOx层形成及其对石墨烯电子性能的影响
机译:硅插层解耦的6H-SiC(0001)衬底上零层石墨烯的电子性质
机译:在空气中退火时通过氧嵌入在SiC(0001)上形成高质量的准自立双层石墨烯
机译:控制4H-SiC(0001)上外延石墨烯的厚度以及通过氢嵌入去除缓冲层
机译:探索金属基底上分子吸附剂的性能:扫描隧道显微镜研究胺在金(111)和石墨烯纳米岛上吸附的钴(0001)。
机译:三层石墨烯/ SiC(0001)的原子和电子结构:强烈依赖于堆积顺序和电荷转移的证据
机译:通过硅插入向外解耦的6H-SiC(0001)衬底的零层石墨烯的电子性能