插层调控SiC基石墨烯电子结构的理论研究

目录

声明

摘要

1．1研究背景和意义

1．2石墨烯的结构和性质

1．3 SiC材料的结构和性质

1．4 SiC基石墨烯及其研究现状

1．5本课题的选题思路及主要研究内容

参考文献

第二章理论基础及研究方法

2．1简介

2．2密度泛函理论

2．2．1 Born-Oppenheimer近似

2．2．2单电子近似

2．2．3 Hohenberg-Kohn定理

2．2．4 Kohn-sham方程

2．2．5广义梯度近似

2．3 VASP软件简介

2．4本章小结

参考文献

第三章碳化硅衬底与石墨烯相互作用机理的理论研究

3．1引言

3．2计算方法和模型

3．3结果与讨论

3．3．1石墨烯的电子结构

3．3．2 SiC衬底与石墨烯的相互作用

3．3．3 H插层对石墨烯电子结构的调控

3．4本章结论

参考文献

第四章第四主族插层对石墨烯电子结构调控的理论研究

4．2计算方法与模型

4．3结果与讨论

4．3．1单质Ge、Sn插层

4．3．2 Sn1-xGex化合物插层

4．4本章结论

参考文献

第五章铁及其硅化物插层对石墨烯电子结构调控的理论研究

5．1引言

5．2计算方法与模型

5．3结果与讨论

5．3．1 Fe单质插层

5．3．2 FeSi化合物插层

5．3．3插层结构的热力学稳定性

5．4本章结论

参考文献

第六章硼类化合物插层对石墨烯电子结构调控的理论研究

6．1引言

6．2计算方法与模型

6．3结果与讨论

6．3．1 B单质插层

6．3．2 SiB化合物插层

6．3．3 BxCy化合物插层

6．3．4 B类化合物插层结构的热力学稳定性

6．4本章结论

参考文献

第七章总结与展望

7．1本论文的主要结论

7．2本论文的创新点

7．3展望

致谢

攻读学位期间发表的学术论文和参加科研情况