机译:氧气压力对脉冲激光沉积的Ga,P掺杂ZnO薄膜的p型导电性的影响
Kyungpook Natl Univ Sch Mat Sci &
Engn Deagu 41566 South Korea;
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Thin film; Pulsed laser deposition (PLD); Zinc oxide; P-type; Co-doping;
机译:氧气压力对脉冲激光沉积Ga,P共掺杂ZnO薄膜p型电导率的影响
机译:氧气压力对脉冲激光沉积的Ga,P掺杂ZnO薄膜的p型导电性的影响
机译:氧气压力对脉冲激光沉积生长的Al和Sb共掺杂P型ZnO薄膜结构和电性能的影响
机译:通过脉冲激光沉积研究在n型和p型(100)Si衬底上生长的未掺杂ZnO膜的导电类型
机译:通过脉冲激光沉积开发基于ZnO的薄膜晶体管和掺磷的ZnO和(Zn,Mg)O。
机译:衬底温度和氧分压对脉冲激光沉积生长纳米晶铜氧化物薄膜性能的影响
机译:氧压对脉冲激光沉积mg0.5Zn0.5O薄膜结构性能的影响