歪InGaN接触層を用いたp-GaNへの低抵抗オーミック接触の形成

摘要

p-InGaN接触層を用いてp-GaNに対してオーミック接触を形成した。 接触層の膜厚、In組成の最適化を行いこ室温で1.1×10{sup}(-6)Ω-cm{sup}2という低い接触抵抗を得ることに成功した。 この方法では、表面に薄い歪InGaNを形成し、そこに発生するピェゾ分極電界によって表面のバンド構造が急峻に変化することを利用している。このことで、正孔は容易に障壁をトンネルすることができるようになり、接触抵抗が低減するものである。 高温領域でも接触層がない場合と比較して、低い接触抵抗値が得られている。 特に実用デバイスの上限動作温度と考えられる100°Cでは、接触層が無い場合、つまり、通常のp-GaNに比べて500分の1となった。