InGaN盖帽层实现InAlN器件低温欧姆接触的方法

摘要

本发明公开了一种InGaN盖帽层实现InAlN器件低温欧姆接触的方法，涉及以衬底为特征的外延层生长方法技术领域。包括以下步骤：1）在衬底上生长氮化物材料结构；2）在氮化物材料结构上生长InAlN材料层；3）在InAlN材料层上生长InGaN材料盖帽层。通过所述方法在进行InAlN基器件欧姆接触制作时，能降低退火温度，改善金属电极的表面质量，提高器件的质量；同时盖帽层同材料外延一起生长，既改善器件的性能，又对器件工艺没有影响。