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摘要
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符号对照表
缩略语对照表
第一章 绪论
1.1 宽禁带GaN基半导体材料及异质结研究的重要性
1.2 InAlN/InGaN/(Al)GaN异质结材料的优势及研究意义
1.3 InGaN沟道双异质结材料的研究进展
1.4 本文的研究内容和安排
第二章 氮化物的MOCVD生长及材料表征方法
2.1 氮化物材料的MOCVD生长技术
2.1.1 III-V族氮化物材料的MOCVD生长机理
2.1.2 III-V族氮化物薄膜的MOCVD外延衬底
2.1.3 基于西电120型MOCVD系统的GaN模板材料生长
2.2 氮化物材料的表征方法
2.2.1 X射线衍射分析(XRD)
2.2.2 光致发光谱分析(Photoluminescence,PL)
2.2.3 拉曼光谱分析(Raman)
2.2.4 原子力显微镜(AFM)
2.2.5 扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)
2.2.6 二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)
2.2.7 霍尔测试(Hall)
2.2.8 电容一电压测试(CV)[72]
2.3 本章小结
第三章 InGaN三元合金材料的MOCVD生长研究
3.1 InGaN材料的重要性及应用
3.2 InGaN材料生长与研究所面临的困难
3.3 外延条件对InGaN材料的影响
3.3.1 外延生长温度对InGaN材料的影响
3.3.2 反应室压强对InGaN材料的影响
3.3.3 TMIn流量对InGaN外延材料的影响
3.3 .4 NH3流量对InGaN外延材料的影响
3.3.5 外延层生长方式对InGaN外延材料的影响
3.3.6 生长模板对InGaN外延材料的影响
3.4 应用于异质结2DEG沟道层的InGaN材料生长思路
3.5 本章小结
第四章 基于PSS衬底的InAIN/GaN异质结材料生长与表征
4.1 图形化衬底以及图形化衬底的应用
4.1.1 图形化衬底介绍
4.1.2 图形化衬底的应用
4.1.3 本节小结
4.2 基于PSS衬底的GaN材料生长及分析
4.2.1 衬底与材料生长条件的选择
4.2.2 基于PSS衬底的GaN材料外延生长
4.2.3 样品的XRD测试结果和分析
4.2.4 样品的表面形貌测试结果和分析
4.2.5 样品的PL测试结果和分析
4.2.6 本节小结
4.3 基于PSS衬底的InAlN/GaN异质结材料生长与分析
4.3.1 InAlN/GaN异质结材料生长过程
4.3.2 InAlN/GaN异质结材料结晶质量
4.3.3 InAlN/GaN异质结材料的AFM形貌
4.3.4 InAlN/GaN异质结材料的霍尔测试结果
4.3.5 本节小结
4.4 本章小结
第五章 InAlN/InGaN/GaN及InAlN/InGaN/AlGaN双异质结外延材料和表征
5.1 双异质结与InGaN沟道
5.1.1 DH结构的优势及研究进展
5.1.2 InGaN沟道的优势与研究进展
5.1.3 本节小结
5.2 InAlN/InGaN/GaN异质结材料的仿真研究
5.2.1 变沟道组分的InAlN/InGaN/GaN DH结构的仿真研究
5.2.2 变沟道厚度的InAlN/InGaN/GaN异质结构的仿真研究
5.2.3 本节小结
5.3 InAlN/InGaN/GaN双异质结材料的生长及表征
5.3.1 InAlN/InGaN/GaN双异质结材料的生长
5.3.2 不同沟道厚度的InAlN/InGaN/GaN双异质结材料对比研究
5.3.3 InAlN/InGaN/GaN与InAlN/GaN异质结材料电学性能对比
5.3.4 本节小结
5.4 InAlN/InGaN/AlGaN双异质结材料的生长及表征
5.4.1 InAlN/InGaN/AlGaN双异质结材料的外延层结构
5.4.2 InAlN/InGaN/AlGaN双异质结材料的生长优化和表征
5.4.3 本节小结
5.5 本章小结
第六章 InAlN/InGaN/AlGaN MIS-HEMTs器件的制造与特性研究
6.1 常规AlGaN/GaN HEMTs器件的基本参数及制造流程
6.1.1 HEMTs器件的关键参数[174]
6.1.2 常规AIGaN/GaN HEMTs器件工艺介绍
6.1.3 本节小结
6.2 InAlN/InGaN/AlGaN双异质结MIS-HEMTs器件制造流程
6.2.1 外延片清洗
6.2.2 外延片光刻对准标记层的制作
6.2.3 欧姆接触的制作
6.2.4 台面隔离
6.2.5 Si3N4钝化层淀积
6.2.6 MIS结构栅电极制作与Si3N4保护钝化
6.2.7 金属互连开孔光刻与Si3N4保护钝化层刻蚀
6.2.8 金属互连
6.2.9 本节小结
6.3 InAlN/InGaN/AlGaN MIS-HEMTs器件的欧姆接触和肖特基接触特性
6.3.1 InAlN/InGaN/AlGaN双异质结MIS-HEMTs器件的欧姆接触
6.3.2 InAlN/InGaN/AlGaN MIS-HEMTs器件的肖特基接触特性
6.3.3 本节小结
6.4 InAlN/InGaN/AlGaN双异质结MIS-HEMTs器件电学特性
6.4.1 直流输出特性和直流转移特性
6.4.2 漏致势垒降低特性
6.4.3 击穿特性
6.4.4 交流小信号特性
6.4.5 本节小结
6.5 本章小结
第七章 结束语
参考文献
致谢
作者简介