Ku帯衛星中継システム向けGaN FET固体化電力増幅器の開発

摘要

Ku苛電力増幅FETとして世界最高出力となる50W級窒化ガリウム系高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)を電力増幅部に用いた、固体化電力増幅器(SSPA)を開発したので報告する。GaN FETは、増幅特性が非線形領域となる範囲が広く、3次相互変調積(IM3)の改善が欠かせないが、本装置では、バイアス条件の最適化によって、14.0～14.5GHzの広帯域における送信出力50dBm (100W)のIM3が-25dBc以下となる性能を、-10～45°Cの周囲温度環境で達成している。また、多段のFETをカスケード接続したことによって生ずる温度利得変動を、補償する機能を具備している。