金属／high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制

摘要

近年のSi半導体素子の微細化により、特性ばらつきの影響が無視できなくなっている。特性ばらつきの要因としては、不純物ばらつき、ラインエッジラフネス、ゲート絶縁膜の不均一性等が挙げられる。しかしながら、現在導入され始めている金属／high-k絶縁膜構造トランジスタの特性ばらつき要因に関しては、まだ明らかになっていない。