［招待講演］チャージポンピング法による単一MOS界面トラップの個別検出と解析－原子スケールの視点で新たなトラップ物理を目指して

摘要

チャージポンピング（CP）法で，単一のMOS界面トラップを個別に検出して評価する究極的な手法を用いて，全く新しい視点でトラップ物理の解明を進めた．従来のCP理論の根幹であるトラップ1個当たりの最大CP電流I_(CPMAX)=fq(fはゲートパルス周波数，qは電子電荷）は誤りであり，0～afqの様々な値をとることを明らかにした．これは，界面トラップ1個当たり2つの電子準位が関与しており，この各準位のエネルギー位置がバンドギャップ内で様々に異なっていることに起因していることを実証した．このことは界面トラップの起源がP_bセンターであることを支持している．また，単一トラップのエネルギー準位密度分布（DOS）を導出し，P_(b0)センターのDOS と酷似していることを示すとともに，界面トラップのDOSはU字型とする定説に疑問を呈した．