新型クラスターイオン注入装置'CLARIS'の開発

摘要

イオン注入のプロセスにおいて、次世代の半導体素子製造では信頼性のある極浅接合を形成することが重要な課題の一つとして挙げられている。このような市場の要求に対応するため、クラスターイオンを注入する新型イオン注入装置"CLARIS"を開発した。本稿では装置開発の背景、装置特性、及びクラスターイオンの注入プロセス特性について報告する。