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一种离子植入装置和一种通过植入氢化硼簇离子制造半导体的方法

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摘要

本发明描述一种离子植入装置和一种制造一半导体装置的方法，其中植入电离氢化硼分子簇以形成P型晶体管结构。举例而言，在制造互补型金属氧化物半导体(CMOS)装置中，植入该等簇以为源极和漏极结构与多栅极提供P型掺杂，此等掺杂步骤对于形成PMOS晶体管而言是至关重要的。该等分子簇离子具有化学形式B

1. 一种离子植入装置和一种通过植入氢化硼簇离子制造半导体的方法 [P] . 中国专利： CN102034665B . 2014.06.25
2. 一种离子植入装置和一种通过植入氢化硼簇离子制造半导体的方法 [P] . 中国专利： CN102034665A . 2011-04-27
3. Ion implantation device and a method of semiconductor manufacturing by the implantation of boron hydride cluster ions [P] . 美国专利： US8410459B2 . 2013-04-02

机译：离子注入装置及通过氢化硼簇离子的注入进行的半导体制造方法
4. Ion implantation device and a method of semiconductor manufacturing by the implantation of boron hydride cluster ions [P] . 美国专利： US8618514B2 . 2013-12-31

机译：离子注入装置及通过氢化硼簇离子的注入进行的半导体制造方法
5. Ion implantation device and a method of semiconductor manufacturing by the implantation of boron hydride cluster ions [P] . 美国专利： US7960709B2 . 2011-06-14

机译：离子注入装置及通过氢化硼簇离子的注入进行的半导体制造方法