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International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings
International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings
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1.
Edge exclusion limits of the Prometrix 4-point probe
机译:
Prometrix 4点探针的边缘排除限制
作者:
Sawyer W.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
2.
Formation of Si-C films using negative ion beam sputtering
机译:
使用负离子束溅射形成Si-C薄膜
作者:
Chayahara A.
;
Kinomura A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
3.
High density, plasma flood system (HD PFS) yield enhancement for the precision implant 9500
机译:
高密度,等离子洪水系统(HD PFS)屈服增强针对精密植入物9500
作者:
Sempek D.
;
Ito H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
4.
MeV implantation introduced damage at the LOCOS bird's beak in 0.35 /spl mu/m flash memory devices
机译:
MEV植入在0.35 / SPL MU / M闪存器件中引入了LOCOS BIRD BEAK的损坏
作者:
Wu H.J.
;
Bhattacharya S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
5.
Electron field emission from diamond-like carbon film under pulsed DC supply
机译:
脉冲直流电源下的金刚石碳膜电子场发射
作者:
Mao D.S.
;
Zhao J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
6.
Vacuum pump emission abatement of residual SDS/sup (R)/ source gas
机译:
残留SDS / SUP(R)/源气体的真空泵排放减排
作者:
Dietz J.
;
Brown R.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
7.
Formation of /spl beta/-SiC thin layers by implantation of carbon ions into silicon using MEVVA ion source
机译:
使用MEVVA离子源将碳离子植入碳离子的/SPRβ/ -SIC薄层的形成
作者:
Yonekubo S.
;
Setsuhara Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
8.
Understanding the correlation of TXRF and surface SIMS
机译:
了解TXRF和Surface Sims的相关性
作者:
Smith S.P.
;
Metz J.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
9.
Tribology and wettability of Na-ion implanted glassy carbon
机译:
Na离子植入玻璃碳的摩擦学和润湿性
作者:
Iwaki M.
;
Matsunaga M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
10.
Defect density reduction on the VIISta 810 implanter
机译:
Viista 810 Implanter上的缺陷密度减少
作者:
Scheuer J.T.
;
Renau A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
11.
Evaluation of high dose ion implantation by spectroscopic ellipsometry
机译:
光谱椭圆形测量评价高剂量离子植入物
作者:
Shibata S.
;
Nambu Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
12.
Ion implanter with a magnetic neutral loop discharge (NLD) plasma ion source for surface modification
机译:
离子注入机,具有磁性中性环路放电(NLD)等离子体离子源,用于表面改性
作者:
Matsuura M.
;
Ohtsuka Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
13.
Enhanced field electron emission from nitrogen doped tetrahedral amorphous carbon film
机译:
来自氮掺杂四面体无定形碳膜的强大现场电子发射
作者:
Zhao J.P.
;
Chen Z.Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
14.
Composition, structure and optical properties of aluminum nitride films formed by low energy ion beam assisted deposition
机译:
通过低能离子束辅助沉积形成的氮化铝膜的组成,结构和光学性质
作者:
Ensinger W.
;
Kiuchi M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
15.
Development of a coaxial type vacuum arc evaporation source
机译:
开发同轴型真空弧蒸发源
作者:
Yamamoto Y.
;
Agawa Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
16.
Charge exchange in Eaton's NV-8250 medium current ion implanter
机译:
Eaton的NV-8250中电流离子注入机中的电荷交换
作者:
Curello G.
;
McWilliams T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
17.
Automatic determination of pressure compensation factors without requiring wafer implants
机译:
在不需要晶圆植入物的情况下自动测定压力补偿因子
作者:
Halling M.
;
Krull W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
18.
Economic evaluation of the SDS(R) gas source for ion implantation
机译:
用于离子植入的SDS(R)气源的经济评价
作者:
Kirk R.
;
McManus J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
19.
Multi-dimensional search techniques in low energy ion beam optimization
机译:
低能量离子束优化中的多维搜索技术
作者:
Moynihan J.
;
Sinclair F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
20.
A comparison of shallow implantation between B, BF/sub 2/ and B/sub 10/H/sub 14/ by molecular dynamics simulation
机译:
B,BF / Sub 2 /和B / Sub 10 / Sub 14 /通过分子动力学模拟的浅植入比较
作者:
Webb R.
;
Kerford M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
21.
Applied Materials xR80S, xRLEAP and xR120S 300 mm Ion Implant Systems
机译:
应用材料XR80S,XRLEAP和XR120S 300 mm离子植入系统
作者:
Edwards P.
;
Banks P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
22.
Beam purity control in the VIISta 810 implanter
机译:
VIISTA 810 Implanter中的光束纯度控制
作者:
Smatlak D.L.
;
Scheuer J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
23.
Microanalysis of FIB induced deposited Pt films using ion microprobe
机译:
使用离子微探针诱导FIB诱导沉积PT薄膜的微分析
作者:
Park Y.K.
;
Nagai T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
24.
Time dependent effects in photoresist outgassing
机译:
时间依赖性在光致抗蚀剂排出中的影响
作者:
Perel A.S.
;
Horsky T.N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
25.
Progress in ion implantation technology for metal surface treatments and other related topics
机译:
金属表面处理和其他相关主题中离子植入技术的进展
作者:
Iwaki M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
26.
Ultra-shallow 28-88 nm n/sup +//p junction formation using PH/sub 3/ and AsH/sub 3/ plasma immersion ion implantation
机译:
超浅28-88nm N / sup + // P结形成使用pH / sub 3 /和灰/亚3 /等离子体浸没离子注入
作者:
Yang B.L.
;
Cheung N.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
27.
Using dopant activation of implanted wafers for low temperature (400/spl deg/C-600/spl deg/C) measurement in CVD equipment design
机译:
在CVD设备设计中使用掺杂晶片的植入晶片的低温(400 / SPL DEG / C-600 / SPL DEG / C)测量
作者:
Borland J.O.
;
Galewski C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
28.
Role of annealing time on junction depth for high dose phosphorus implants
机译:
退火时间对高剂量磷植入物结深的作用
作者:
Prussin S.
;
Bil C.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
29.
Superior latch-up resistance of high dose, high energy implanted p/sup +/ buried layers
机译:
高剂量,高能量注入的P / SUP + /埋层层的卓越闩锁电阻
作者:
Leong K.C.
;
Liu P.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
30.
Advanced implantation systems and development of general purpose unlimited lifetime ECRIS for application on implantation devices
机译:
先进的植入系统和通用的开发无限终身ECRIS在植入装置上应用
作者:
Bieth C.
;
Bouly J.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
31.
Optimization of the delivery system for SDS/sup R/ gas sources used in ion implantation
机译:
用于离子植入的SDS / SUP R /气体源的输送系统优化
作者:
McManus J.V.
;
Mayer J.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
32.
Electrical conductivity in ion implanted TiO/sub 2/-single crystals
机译:
离子植入TiO / sub 2 / -single晶体的电导率
作者:
Fromknecht R.
;
Khubeis I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
33.
Electron-volt, high current implants into silicon SDR (Surface damage region) and the effect of anneal time to form 200 to 700 angstrom, low leakage junctions
机译:
电子 - 电压,高电流植入物到硅SDR(表面损伤区域)和退火时间形成200至700埃,低漏电路的效果
作者:
Moffatt S.
;
Murrell A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
34.
Stabilization and stripping of high current implanted photoresists
机译:
高电流植入光致抗蚀剂的稳定化和汽提
作者:
Marshall D.
;
Freer B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
35.
Consideration of photoresist outgassing for MeV ion implantation and cryopump selection
机译:
对MEV离子注入和低温泵选择的光致抗蚀剂分配的考虑
作者:
Tokoro N.
;
Bowen C.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
36.
Gas release from a compact powdery sample ion source
机译:
来自紧凑的粉末状样品离子源的气体释放
作者:
Wada M.
;
Kasuya T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
37.
Structural characterization of Ca-ion implanted GaN
机译:
Ca-ION植入GaN的结构表征
作者:
Liu C.
;
Wenzel A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
38.
STM observations of the annealing process of the damage caused by ion impact
机译:
离子撞击造成损伤退火过程的STM观察
作者:
Seki T.
;
Matsuo J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
39.
Monte Carlo simulation of surface smoothing effect by cluster ions
机译:
Monte Carlo通过簇离子仿真表面平滑效果
作者:
Hagiwara N.
;
Toyoda N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
40.
Effect of boron ion implantation on oxidation resistance of CVD-SiC coated 2D-C/C composites
机译:
硼离子植入对CVD-SiC涂层2d-C / C复合材料抗氧化性的影响
作者:
Zhu Y.-C.
;
Ohtani S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
41.
Microwave ion source for ultra clean ion implanters
机译:
用于超清洁离子注入机的微波离子源
作者:
Ito H.
;
Ito S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
42.
Peculiarities of implantation of silicon with intensive beams of B/sup +/ and BF/sub 2//sup +/ ions
机译:
具有B / sup + / sub 2 // sup + /离子的密集束硅植入硅的特性
作者:
Troitski V.Yu.
;
Gerasimenko N.N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
43.
Ion beam mixing of Au/Fe multilayers by Ar ion implantation
机译:
AR离子植入的Au / Fe多层的离子束混合
作者:
Sakamoto I.
;
Honda S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
44.
Ultra-shallow junctions and the effect of ramp-up rate during spike anneals in lamp-based and hot-walled RTP systems
机译:
灯基和热壁RTP系统中尖峰退火过程中的超浅结和升压速率的效果
作者:
Agarwal A.
;
Fiory A.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
45.
A novel beam line for sub-keV implants with reduced energy contamination
机译:
具有减少能量污染的子keV植入的新型梁线
作者:
Angel G.
;
Bell E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
46.
Magnetic irreversibility of copper-oxide superconductors by splayed irradiation of swift heavy ions
机译:
通过Splowered Heading离子的张开照射氧化铜超导体的磁性不可逆性
作者:
Fan X.
;
Terasawa M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
47.
Improvement of localized corrosion resistance of austenitic stainless steel by N, Cr and Mo ion implantation
机译:
N,Cr和Mo离子注入改善奥氏体不锈钢局部耐腐蚀性
作者:
Fujimoto S.
;
Shibata T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
48.
Effect of photo-resist treatment on out-gassing in high energy implantation
机译:
光致抗蚀剂对高能植入外渗出的影响
作者:
Hong S.K.
;
Jeon S.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
49.
Production of multiply charged ions by utilizing pulsed ECR plasma
机译:
利用脉冲ECR等离子体生产多次带电离子的生产
作者:
Kato Y.
;
Ishii S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
50.
The effect of collisions on pulsed and DC plasma immersion ion implantation
机译:
碰撞对脉冲和直流等离子体浸没离子植入的影响
作者:
Linder B.P.
;
Cheung N.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
51.
Ion implantation into silica fibers and metal wires
机译:
将离子植入二氧化硅纤维和金属线
作者:
Kajiyama K.
;
Sekine K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
52.
Formation of shallow junctions using decaborane molecular ion implantation; comparison with molecular dynamics simulation
机译:
使用癸硼烷分子离子植入形成浅发出物;与分子动力学模拟的比较
作者:
Foad M.A.
;
Webb R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
53.
Characterization of a high throughput implanter for the low temperature polysilicon AMLCD industry
机译:
低温多晶硅AMLCD工业的高通量注入仪的表征
作者:
Shao Y.
;
Blake J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
54.
Beam tuning with continuously variable aperture
机译:
光束调谐与无变可变孔径
作者:
Murakami T.
;
Sugitani M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
55.
Blue photoluminescence emission from thermal SiO/sub 2/ films implanted with carbon
机译:
来自植入碳的热SiO / sub 2 /薄膜的蓝色光致发光发射
作者:
Yu Y.H.
;
Lei Y.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
56.
Formation of Fe/sub 16/N/sub 2/ in deformed iron by ion implantation method
机译:
通过离子注入方法形成Fe / Sub 16 / N / Sub 2 / In变形铁
作者:
Yamamoto A.
;
Tsubakino H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
57.
Lateral SPE recovery of implanted source/drain in thin SOI MOSFETs
机译:
薄SOI MOSFET中植入源/漏极恢复的横向SPE恢复
作者:
Horiuchi M.
;
Tamura M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
58.
Beam characterizations of mass separated, low-energy positive and negative ions deposition apparatus
机译:
质量分离,低能量正和负离子离子沉积设备的光束表征
作者:
Tsubouchi N.
;
Horino Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
59.
Evolution of void layers induced by multiple He implants
机译:
多个He植入物诱导的空隙层的演变
作者:
Raineri V.
;
Saggio M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
60.
Comparison of charge control technologies for advanced high current ion implantation systems
机译:
高速离子植入系统充电控制技术比较
作者:
Erokhin Y.
;
Sawyer W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
61.
TiN preparation by PBII using titanium arc plasma in nitrogen gas
机译:
在氮气中使用钛弧等离子体的PBII制备
作者:
Sano M.
;
Yukimura K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
62.
Issues of ultra shallow junction formation using sub-1 keV ion implantation
机译:
使用Sub-1 KeV离子植入超浅结形成的问题
作者:
Kase M.
;
Kikuchi Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
63.
Retention of mask edge integrity during MeV implants
机译:
在MEV植入过程中保留掩模边缘完整性
作者:
Hoglund D.E.
;
Parrill T.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
64.
Experimental verification of a new physically based low energy (5 keV) ion implant model
机译:
新物理基于低能量(> 5KeV)离子植入模型的实验验证
作者:
Obradovic B.
;
Wang G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
65.
LOCOS vs. shallow trench isolation latch-up using MeV implantation for well formation down to 0.18 /spl mu/m design rules
机译:
LOCOS与浅沟槽隔离闩锁使用MEV植入井形成至0.18 / SPL MU / M设计规则
作者:
Borland J.O.
;
Cho H.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
66.
Effect of MeV implantation gettering for improvement of device characteristics
机译:
MEV植入气体改善装置特征的影响
作者:
Miyoshi K.
;
Shishiguchi S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
67.
A high-current negative ion implanter and its application for nanocrystal fabrication in insulators
机译:
高电流负离子注入机及其在绝缘子中纳米晶体制造的应用
作者:
Kishimoto N.
;
Takeda Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
68.
Oxide thickness determination by XPS, AES, SIMS, RBS and TEM
机译:
XPS,AES,SIMS,RBS和TEM的氧化物厚度测定
作者:
Shallenberger J.R.
;
Cole D.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
69.
Fabrication of ultrasonic sensor using silicon membrane
机译:
超声波传感器使用硅膜制造
作者:
Inoue K.
;
Suzuki Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
70.
Development of cryopump for ion implantation equipment
机译:
离子植入设备的CryPump开发
作者:
Furuya S.
;
Terashima M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
71.
Transient enhanced diffusion in low energy arsenic implanted silicon
机译:
低能量砷植入硅中的瞬态增强扩散
作者:
Jones K.S.
;
Downey D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
72.
Uniform spike anneals of ultra low energy boron implants using xR LEAP and RTP Centura XE/sub plus/: ramp rate effects up to 150/spl deg/C/sec
机译:
超低能量硼植入物的均匀尖峰退火使用XR飞跃和RTP Centura XE / Sub Plus /:斜坡率效应高达150 / SPL DEG / C / SEC
作者:
Foad M.A.
;
de Cock G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
73.
The VIISta 810 300 mm medium current ion implanter
机译:
Viista 810 300 mm介质电流离子注入机
作者:
Renau A.
;
Hacker D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
74.
Study of defects in Si+ implanted GaAs layers by X-ray diffraction method
机译:
X射线衍射法研究Si +植入GaAs层的缺陷
作者:
Bublik V.T.
;
Kamarnitskaia E.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
75.
Growth of perylene pigment thin films using an ionized cluster beam method and its application to photocurrent multiplication devices
机译:
使用电离簇束法的培养色素薄膜的生长及其在光电流乘法装置中的应用
作者:
Sano K.
;
Watanabe M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
76.
Comparison of FIB-induced physical and chemical etching
机译:
FIB诱导的物理化学蚀刻的比较
作者:
Park Y.K.
;
Paszti F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
77.
Measurement for divergence angle of ion beams extracted from the Bernas type ion source
机译:
从Bernas型离子源提取的离子束的发散角度测量
作者:
Kunibe T.
;
Sasaki N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
78.
Reduction of point defects in PMOS source/drain formation
机译:
PMOS源/排水形成中点缺陷的减少
作者:
Mineji A.
;
Shishiguchi S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
79.
High quality shallow p/sup +/-n junction formation by employing BF/sub 2//low energy /sup 11/B mixed ion implant process
机译:
通过采用BF / SUB 2 //低能量/ SUP 11 / B混合离子注入工艺采用高品质浅p / sup +/-n结形成
作者:
Dong-Ho Lee
;
Yong-Sun Sohn
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
80.
Secondary defects in 1-10 keV As- and BF/sub 2/-implanted Si
机译:
二次缺陷在1-10 kev AS和BF / sub 2 / -implanted Si中
作者:
Tamura M.
;
Hiroyama Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
81.
Computer studies on projected range due to few eV to keV cluster impacts
机译:
由于eV到Kev群集影响,计算机研究的计算机研究
作者:
Yorizane K.
;
Muramoto T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
82.
Evaluation of electrode materials for ion implanters
机译:
离子注入机电极材料的评价
作者:
Vanderberg B.H.
;
Perel A.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
83.
Structural and optical characterization of VO/sub x/ films doped with W by ion implantation
机译:
通过离子植入掺杂有W的VO / SUB X /薄膜的结构和光学表征
作者:
Ping Jin
;
Nakao S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
84.
High energy aluminum ion implantation using a variable energy RFQ ion implanter
机译:
使用可变能量RFQ离子注入机的高能量铝离子注入
作者:
Amemiya K.
;
Ito J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
85.
Transient enhanced diffusion from implantation of molecular decaborane ions
机译:
来自植入分子癸烷离子的瞬态增强扩散
作者:
Agarwal A.
;
Gossmann H.-J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
86.
Visible photoluminescence from Tb/sup 3+/ ions implanted into a SiO/sub 2/ film on Si at room temperature
机译:
从室温下将Tb / sup 3 + /离子的可见光光致发光在Si上植入SiO / sub 2 /薄膜
作者:
Amekura H.
;
Eckau A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
87.
Sensitive evaluation of ion implantation using short wavelength laser induced photo-acoustic displacement
机译:
使用短波长激光诱导光声位移的离子植入敏感评估
作者:
Tsunaki H.
;
Takenouchi H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
88.
Negative-ion implanter for powders and uniform implantation without particle scattering
机译:
用于粉末的负离子注入机和均匀植入而没有颗粒散射
作者:
Tsuji H.
;
Mimura M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
89.
Implantation of nitrogen into polysilicon to suppress boron penetration through the gate oxide
机译:
将氮气植入聚硅酸盐以抑制硼通过栅极氧化物的渗透
作者:
Bauer A.J.
;
Mayer P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
90.
Charge control performance of an ultra-low energy ion implanter
机译:
超低能量离子注入机的电荷控制性能
作者:
Dyer D.E.
;
Krull W.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
91.
Influence of high dose low energy ion implantation on dopant depth profile
机译:
高剂量低能量离子注入对掺杂剂深度剖面的影响
作者:
Egusa K.
;
Shibahara K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
92.
Optical densitometry as a monitor for sub 5 keV implants
机译:
光学密度测定为Sub 5 Kev植入物的监视器
作者:
Rendon M.J.
;
McMillen J.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
93.
Range studies of aluminum, boron, and nitrogen implants in 4H-SiC
机译:
铝,硼和氮植入物的范围研究在4H-SIC中
作者:
Stief R.
;
Lucassen M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
94.
Comparison of silicon etching properties between F/sup -/ negative ion and SF/sub 3//sup +/ positive ion-beam etchings
机译:
F / SUP /负离子和SF / SUB 3 // SUP + /正离子束蚀刻之间的硅蚀刻性能的比较
作者:
Ishikawa J.
;
Tsuji H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
95.
Visual observation of decelerated ion beam trajectories by using electronically excited molecular ions (N/sub 2//sup +/ or CO/sup +/) in IBD system
机译:
通过在IBD系统中使用电子激发的分子离子(n / sub 2 // sup + /或co / sup + /)通过电子激发的离子束轨迹的视觉观察
作者:
Miyake K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
96.
Electrical behaviour associated with defect tails in germanium implanted silicon
机译:
锗植入硅中缺陷尾部相关的电学特性
作者:
Nejim A.
;
Gwilliam R.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
97.
Accuracy of SIMS in determining ion implanted B doses as confirmed by nuclear reaction analysis
机译:
核反应分析确认的确定离子注入B剂量的SIMS的精度
作者:
Magee C.W.
;
Jacobson D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
98.
Highly insulated SrTiO/sub 3/ thin films
机译:
高度绝缘的SRTIO / SUB 3 /薄膜
作者:
Akedo K.
;
Fujikawa H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
99.
High energy, low dose ion implant monitoring using the OMS-3000
机译:
高能,低剂量离子植入物监测使用OMS-3000
作者:
Dyer D.E.
;
Gruhn T.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
100.
Preparation of new carbon films by ion-beam-assisted plasma CVD
机译:
通过离子束辅助等离子体CVD制备新的碳膜
作者:
Fuchigami K.
;
Nakai H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Ion Implantation Technology Proceedings》
|
1998年
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