3D-TLC NAND型フラッシュメモリにおける水平エラー検出と垂直LDPC符号を用いた高信頼化手法

摘要

NAND型フラッシュメモリ向けの高信頼化手法としてAsymmetric Coding（AC）が提案されている．本研究では，ACにエラー検出アルゴリズムを加えたHorizontal Error Detection（HED），ページ間の信頼性の偏りを抑えて誤りを訂正するVertical-LDPC（V-LDPC），また，それらを組み合わせたCross Error Elimination（XEE）ECCを提案する．XEE ECCでは，HEDによりエラーが検出されたビットに対して，予め予測されたエラー率を高くする事により誤り訂正符号の性能を向上させる事ができる．更に，V-LDPCを用いることで検出されたエラー数を符号語単位で均一化でき，LDPC符号の誤り訂正能力がさらに向上する．その結果，許容できるエラー率が90%，データ保持時間が230%増加した．