55nm超低リークDDC技術を用いたサブスレッショルドSRAM／Logic回路

Harsh N. Patel; Abhishek Roy; Farah B. Yahya; Ningxi Liu; Benton Calhoun; 原田昭彦; 粂野一幸; 安田真; 江間泰示

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55nm超低リークDDC技術を用いたサブスレッショルドSRAM／Logic回路

机译：使用55 nm超低泄漏DDC技术的亚阈值SRAM /逻辑电路

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本稿では55nm超低リークDDC技術によるULL（Ultra-Low Leakage）トランジスタを用いた回路特性の評価結果を報告する．6T SRAMでは電源電圧200mVまで動作が認められ、FIRフィルターでは4.5pJ／cycleの消費効率を得ることができた．

机译：在本文中，我们通过ULL（超低泄漏）晶体管通过55nm超低泄漏DDC技术报告了电路特性的评估结果。 6T SRAM已观察到高达200 MV的电源电压，FIR滤波器能够获得4.5 PJ /循环的消耗效率。

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来源
《電子情報通信学会技術研究報告. 集積回路. Integrated Circuits and Devices》 |2017年第9期|共5页
作者
Harsh N. Patel; Abhishek Roy; Farah B. Yahya; Ningxi Liu; Benton Calhoun; 原田昭彦; 粂野一幸; 安田真; 江間泰示;
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作者单位

University of Virginia;

University of Virginia;

University of Virginia;

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University of Virginia;

三重富士通セミコンダクター株式会社;

三重富士通セミコンダクター株式会社;

三重富士通セミコンダクター株式会社;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 jpn
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
DDC; ULL; サブスレッショルド SRAM; FIR;

机译：ddc;ull;亚阈值sram;冷杉;

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