低電圧時の安定高速動作を実現するノイズマージンフリーSRAM技術

摘要

今後の微細化に伴うバラツキの増大によって、SRAMの読み出しノイズマージンと書き込みマージンとが共に減少し、通常の電源電圧での安定動作すら困難な状況になりつつある。 この問題を解決するために、小さい面積オーバーヘッドで、両立しない2つのマージンの一方の読み出しノイズマージンをフリーにするSRAM技術を開発した。 90nm CMOSプロセスを用いて64Kb SRAMを試作して、0.44Vまでの安定動作と、0.5Vでの20ns動作を確認した。