テラへルツ動作IC実現に向けたInPウェハレべル裏面配線プロセス

摘要

近年InP-HEMTやInP-HBTによるサブミリ波帯集積回路（SMMIC: Submillimeter-wave monolithic ICs）の高性能化に伴い，これを応用したサブミリ波高速無線伝送技術が注目を集めている．これまで我々は，InP基板の裏面研削·薄化，基板貫通ヴィアの高密度形成からなる裏面プロセスを開発し，基板共振の抑制によるSMMICの安定動作化を実現してきた．本稿では，SMMICの裏面に厚膜配線をパタンニングし，トランジスタへのバイアス配線を高電流容量化させる，より高度化した裏面配線プロセス技術について報告する．実際にサブミリ波帯パワーアンプに裏面配線プロセスを適用し，従来では表面回路に形成されていたバイアス配線を裏面側に形成した結果，レイアウト起因の損失を抑制し，300 GHzにおいて世界最高レベルの飽和出力である+9.5 dBmを得た．