RFバイアススパッタ法によるc軸平行配向ZnO薄膜の形成－バイアス周波数が配向性に及ぼす影響

摘要

c軸が基板面と平行かつ一方向に配向した（（1120）面，（1010）面配向）ZnO薄膜を用いた共振子は横波を励振する．この厚みすべり薄膜共振子は液体中での質量負荷を測定するセンサに応用できる．ZnO薄膜の成膜中に基板ヘイオンを照射すると原子が最も密に詰まった（0001）面はイオンの衝突による損傷を受けやすく成長が抑制され、原子が疎な（1120）面や（1010）面が優先的に配向すると考えられている．そこで本研究では，RFマグネトロンスパッタ法において成膜中に基板へイオンを照射するために，基板を設置する電極にRFバイアスを印加してZnO 薄膜を作製した．その結果，バイアスなしで（0001）面配向ZnO薄膜が形成される条件下においても，c軸平行配向ZnO薄膜の形成に成功した．