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龚恒翔; 王印月; 方泽波; 徐大印; 杨映虎;
兰州大学,物理科学与技术学院,甘肃,兰州,730000;
多晶ZnO薄膜; RF反应溅射; 取向生长; 透过率;
机译:直流磁控溅射法制备掺铝多晶ZnO薄膜的取向分布和载流子传输特性
机译:RF偏压溅射法形成C轴平行取向ZnO薄膜-偏压频率对取向的影响
机译:改进溶胶-凝胶法制备高度优选的取向多晶共掺杂ZnO薄膜的合成与表征
机译:反应溅射法制备ZnO薄膜制备
机译:RF溅射法制备Si / Ingan异质结太阳能电池:改进氮化铟镓(IngaN)薄膜的电气和光学性能
机译:具有良好取向(0001)取向的具有织构化多晶结构的高霍尔迁移率铝掺杂ZnO薄膜
机译:RF磁控溅射法在缓冲层上生长的Al掺杂ZnO薄膜的表征
机译:采用射频溅射法制备高性能镉铟透明导电薄膜
机译:利用原子层沉积生长C轴取向ZnO薄膜的方法和使用该方法生长的光学器件
机译:面向靶溅射法制备用于OLED的GA掺杂Zno薄膜
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