異なる結晶構造の下地層上に形成したエピタキシャルFePt合金薄膜の構造解析

摘要

デバイス応用では磁化容易軸であるc軸の方位制御が重要となる．c軸方位は下地層の結晶構造や結晶方位によって変化する．本研究では，（001）もしくは（110）単結晶基坂上にヘテロエピタキシャル成長させたfcc，hcp，もしくはbcc構造を持つ金属下地層上にFePt膜を形成し，詳細な構造解析を行った．