異なる結晶構造の下地層上に形成したエピタキシャルFePt合金薄膜の構造解析

机译：在具有不同晶体结构的底层上形成的外延FePt合金薄膜的结构分析

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FePt合金はc軸方向に6.6×10~7erg/cm~3の高いK_uを持ち，その薄膜は磁気記録媒体やMRAMなどへの応用に向けて研究されている.デバイス応用では磁化容易軸であるc軸の方位制御が重要となる.c軸方位は下地層の結晶構造や結晶方位によって変化する.本研究では，(001)もしくは(110)単結晶基板上にへテロエピタキシャル成長させたfcc,hcp,もしくはbcc構造を持つ金属下地層上にFePt膜を形成し,詳細な構造解析を行った.

机译：FePt合金在c轴方向的K_u值为6.6×10〜7erg / cm〜3，并且正在研究其薄膜在磁记录介质和MRAM等应用中的应用，C轴方向的控制非常重要。轴取向随底层的晶体结构和晶体取向而变化，本研究中，fcc和hcp在（001）或（110）单晶衬底上异质生长，或者在金属基底上形成FePt膜具有bcc结构的层，并进行了详细的结构分析。

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来源
《日本磁気学会学術講演会》|2014年|289-289|共1页
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作者
沼田裕介; 大竹充; 二本正昭; 桐野文良; 稲葉信幸;
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