同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法

摘要

本申请公开同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法，包括：在衬底上制备第一光刻版套刻对位图形；在衬底上依次生长GaN或AlN成核层、非掺杂的GaN缓冲层和掺Si的n型GaN层；沉积掩膜薄膜层；利用第二光刻版光刻、刻蚀露出第二光刻版中标定区域下面的n型GaN层；生长发光波长为W1的有源区发光层；沉积掩膜薄膜层；利用第三光刻版光刻、刻蚀露出第三光刻版中标定区域下面的n型GaN层；生长发光波长为W2的有源区发光层；重复交替沉积掩膜薄膜、生长不同发光波长的有源区发光层，得到不同发光波长的外延层区域；生长p型GaN层。本申请实现了同一外延片上多种发光波长的可控LED外延生长。