加熱プロセスにより作製されたCoPtCr-SiO_2グラニュラ薄膜の構造制御(II)－CoCr-SiO_2バッファ層の導入によるコラム状成長磁性層の実現

摘要

加熱成膜により作製されるCoPtCr-SiO_2薄膜では，磁性結晶粒が層状/球状に析出するため,媒体応用を図る場合，磁性結晶粒をコラム状成長させることが課題である．著者らはこの解決のためには，下地層に，磁性層材料中のSiO_2相の析出サイトを設ける，すなわち，加熱した下地層の表面にnmオーダの磁性結晶粒の初期核サイト(凸部)を取り巻く凹部を形成する必要があると考えた．Ru層の表面凹凸構造を加熱成膜媒体の下地層として活かすためには，加熱時に生じるRu層の再結晶化を抑制することが肝要である．一般に再結晶は，拡散係数の高い表面，界面，粒界における原子拡散を介して進行する．そこで本研究では，まずc面配向Ru下地層に結晶粒単位の表面凹凸構造を付与し，Ru原子の表面拡散を抑制するバッファ層を積層することにより，加熱後の積層下地層の表面凹凸構造の維持を図った．本報告では，上記手法で作製した積層下地層上にCoPtCr-SiO_2薄膜を高温成膜して作製し，構造および組織を評価した結果を説明する．