机译:上检测氢气的设有通过离子注入和铂的沉积的组合方法在BH-SiC衬底获得的半导体结构
Национальный исследовательский ядерный университет ?МИФИ";
Московский государственный технологический университет ?Станкин";
Национальный исследовательский ядерный университет ?МИФИ";
Национальный исследовательский ядерный университет ?МИФИ";
Национальный исследовательский ядерный университет ?МИФИ";
机译:外延SnO_2的结构和电性能:Sb膜通过MOCVD沉积在6 H-SiC上
机译:4 H-SIC中P和Al空位复合物的缺陷水平:杂交功能研究
机译:辐照对4 H-SiC VDMOS电学参数的影响
机译:使用成型气退火改善SiO_(2/4)H-SIC接口缺陷密度
机译:高浓度HF电解质中高掺杂n型4 H-SiC的室内光阳极蚀刻:C和Si晶面之间的差异
机译:模拟基于碳化硅4H-siC的肖特基二极管的电流 - 电压特性