Цикличность сверхбыстрой автомодуляции спектра поглощения света, возникающей при накачке м стимулированном излучении в GaAs

摘要

Во время пикосекундной фотогенерации носителей заряда и интенсивного собственного стимулированного излучения в GaAs происходит сверхбыстрая автомодуляция спектра поглощения света,. Под модуляцией подразумевается образование на спектре локальных усилений поглощения (выступов). Обнаружена цикличность сверхбыстрой автомодуляции, заключавшаяся в гом, что форма автомодуляции спектра (количество и спектральное положение выступов) повторялась через некоторое время Тс, относящееся к пикосекундному диапазону. Изменения Тс в течение импульса накачки и при увеличении энергии этого импульса обнаружили зависимость времени цикла Тс от интенсивности накачки. В предположении, что автомодуляция поглощения света отображает автомодуляцию энергетического распределения носителей заряда, эксперимент обнаружил следующее В процессе сверхбыстрой автомодуляции отклонения заселенностей разных энергетических уровней от фермиевского распределения меняются со временем взаимосвязано, распределение обеднений заселенности в зоне проводимости циклически повторяется во времени, время цикла уменьшается при возрастании интенсивности накачки GaAs.