Влияние облучения донами Не~+ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами и точками ln(Ga)As/GaAs

А.П. Горшков; А. Карпович; E.Д. Павлова; Н.С. Волкова

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Влияние облучения донами Не~+ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами и точками ln(Ga)As/GaAs

【24h】

Влияние облучения донами Не~+ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами и точками ln(Ga)As/GaAs

机译：的照射穿上效果不〜+与量子阱和ln（Ga）的作为/砷化镓点异质结构的光敏性光谱

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

获取外文期刊封面封底 >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Исследовано влияние ионной имплантации Не+ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs и квантовыми точками InAs/GaAs, выращенных методом газофазной МОС гидридной эпитаксии.

机译：研究了离子注入不+对InAs / GaAs量子凹坑的异质结构光敏性的影响，通过气相氢化物外延生长的InAs / GaAs量子坑。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2012年第12期|共4页
作者
А.П. Горшков; А. Карпович; E.Д. Павлова; Н.С. Волкова;
展开▼
作者单位

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского 603600 Нижний Новгород Россия;

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского 603600 Нижний Новгород Россия;

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского 603600 Нижний Новгород Россия;

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского 603600 Нижний Новгород Россия;

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Оптические свойства метаморфных гетероструктур GaAs/lnAIGaAs/lnGaAs с квантовыми ямами InAs/lnGaAs, излучающих в спектральном диапазоне 1250—1400 нм [J] . А.Ю. Егоров, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, Физика и техника полупроводников . 2016,第5期

机译：具有InAs / InGaAs量子阱的GaAs / lnAIGaAs / InGaAs变质异质结构的光学性质，在1.250-1400 nm的光谱范围内发射
2. Investigation of the open-circuit voltage in mechanically stacked InGaP/GaAsy/lnGaAsP/lnGaAs solar cells [J] . Tayagaki Takeshi, Makita Kikuo, Mizuno Hidenori, Japanese journal of applied physics . 2017,第8Suppla2期

机译：机械堆叠InGaP / GaAsy / InGaAsP / InGaAs太阳能电池中的开路电压研究
3. Comparative investigation of GaAsSb/lnGaAs type-ll and InP/lnGaAs type-l doped-channei field-effect transistors [J] . Yi-Chen Wu, Jung-Hui Tsai, Te-Kuang Chiang, Физика и техника полупроводников . 2015,第2期

机译：GaAsSb / InGaAs-II型和InP / InGaAs-I型掺杂通道场效应晶体管的比较研究
4. Characteristics of two-stage ?-gate on AIGaAs/lnGaAs/AIGaAs DH-HEMTs by using AIGaAs/lnGaP etching-stop layers [C] . Jia-Chuan Lin, Fu-Xiang Zeng, Jia-Na Wei International Conference on Advances in Materials and Manufacturing Processes . 2012

机译：通过使用AIGAAS / LNGAP蚀刻层 - AIGAAS / LNGAAS / AIGAAS DH-HEMTS对两级的特点
5. Improving Sub-Bandgap Carrier Collection in GaAs Solar Cells by Optimizing InGaAs Quantum Wells Using Strain-Balancing and Distributed Bragg Reflectors [D] . Bogner, Brandon. 2021

机译：通过使用应变平衡和分布布拉格反射器优化InGaAs量子阱，改善GaAs太阳能电池中的子带隙载体收集
6. Spin photocurrent spectra induced by Rashba- and Dresselhaus-type circular photogalvanic effect at inter-band excitation in InGaAs/GaAs/AlGaAs step quantum wells [O] . Jinling Yu, Shuying Cheng, Yunfeng Lai, 2014

机译：InGaAs / GaAs / AlGaAs阶跃量子阱中带间激发的Rashba型和Dresselhaus型圆形光电流效应引起的自旋光电流谱
7. Effects of pulsed anodic oxide on the intermixing in InGaAs/GaAs and LnGaAs/AlGaAs quantum wells [O] . Liu CY, Chan MCY, Zhao F, 2003

机译：脉冲阳极氧化对InGaas / Gaas和LnGaas / alGaas量子阱相互混合的影响
8. Inverted GalnP/GaAs/InGaAs Triple-junction Solar Cells with Low-stress Metamorphic Bottom Junctions [R] . Geisz, J. F., Kurtz, S. R., Wanlass, M. W., 2008

机译：具有低应力变质底部结的倒置Ganp / Gaas / InGaas三结太阳能电池

Влияние облучения донами Не~+ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами и точками ln(Ga)As/GaAs

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅