Дрейфовая скорость электронов в квантовых ямахселективно легированных гетероструктур In_(0.5)Ga_(0.5)As/Al_xIn_(1-x)Asи In_(0.2)Ga_0.8)As/Al_xGa_(1-x)As в сильных электрических полях

摘要

Вычислена (методом Монте-Карло) полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в квантовыхямах селективно легированных гетероструктур In_(0.5)Ga_(0.5)As/Al_xIn_(1-x)As и In_(0.2)Ga_(0.8)As/Al_xGa_(1-x)As. Исследо-вано влияние изменения мольной доли Al в составе барьеров квантовой ямы Al_xGa_(1-x)As и Al_xIn_(1-x)As на подвижность и дрейфовую скорость электронов в сильных электрических полях. Показано, что подвижность электронов растет с уменьшением доли Al х в составе барьеров. В квантовых ямах In_(0.5)Ga_(0.5)As/ In_(0.8)Al_(0.2)As максимальное значение подвижности превышает подвижность в объемном материале в 3 раза. Повышение доли Al х в барьере приводит к росту порогового поля E_(th), междолинного переброса(эффект Ганна). В гетероструктурах In_(0.5)Ga_(0.5)As/Al_(0.5)In_(0.5)As пороговое поле составляет E_t = 16 кВ/см, в In_(0.2)Ga_(0.8)As/Al_(0.3)Ga_(0.7)As — E_(th) = 10 кВ/см. В гетероструктурах с наивысшей подвижностью электроновE_(th) = 2—ЗкВ/см, что меньше E_(th) = 4кВ/см в объемном InGaAs.