Влияние нейтронного облучения и температуры отжига на электрофизические свойства и период решетки эпитаксиальных слоев нитрида галлия

摘要

Рассмотрено влияние облучения большими флюенсамиреакторных нейтронов(Ф = = 1.5 @ 10~(17)-8 · 10~(19) см~(-2)) и последующих термообработок в интервале температур 100-1000°C на электрофизические свойства и период решетки эпитaксиaльныx слоев GaN, выращенных на подложке Al_2O_3. Показано, что c ростом флюенса нейтронов до (1-2) · 10~(18) см~(-2) удельное электрическое сопротивление материала увеличивается до значений около 10(10) Ом см за счет образовавшихся радиационных дефектов, a при дальнейшем увеличении флюенса удельное сопротивление, проходя через максимум, уменьшается до значений 2 · 10~6 Ом · см при 300 K, что объясняется появлением прыжковой проводимости по перекрытым оболочкам областей разупорядочения. Период решетки c c ростом флюенса нейтронов до 8 10~(19) см~(-2) увеличивается на 0.38% при практически неизменном параметре a. Термообработка облученных образцов до 1000°C не приводит к полному восстановлению периода решетки и электрофизических свойств материала.