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公开/公告号CN109119333A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十三研究所;
申请/专利号CN201810935192.3
发明设计人 尹甲运;房玉龙;王波;郭艳敏;张志荣;李佳;芦伟立;
申请日2018-08-16
分类号H01L21/205(20060101);
代理机构13120 石家庄国为知识产权事务所;
代理人王丽巧
地址 050051 河北省石家庄市新华区合作路113号
入库时间 2024-02-19 07:11:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-01-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/205 申请日:20180816
实质审查的生效
2019-01-01
公开
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机译: 一种使用氮化铝/氮化镓超晶格生长半极性氮化镓外延层的方法
机译: 由含有镓的大体积单晶氮化物制成的外延层标准化衬底(模板型衬底)的方法,该镓具有适合于具有所需电特性的外延的表面
机译:硅纳米体的自组装多层,用于减少非和半镓氮化镓外延层的缺陷
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机译:镓离子注入镓中的拉曼光谱和应力分析 蓝宝石上的氮化物外延层
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