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彭长涛; 陈诺夫; 林兰英; 柯俊;
中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室;
北京科技大学材料科学与工程学院;
氮化镓; 光致发光; 外延层; 非掺杂n型; 半导体材料;
机译:金属有机气相外延生长镁掺杂氮化镓外延层中受体的低温活化动力学
机译:中子辐照氮化镓外延层的显微拉曼光谱和光致发光研究
机译:掺镁和掺硅氮化镓外延层的光致发光研究
机译:(ER〜(3+)+ Yb〜(3+))掺杂由磁控溅射制造的掺杂氮化镓层的光致发光研究
机译:用铍辅助分子束外延生长氮化镓与氮化镓和镁的p型掺杂问题
机译:自组装二氧化硅纳米球的多层非和半极性氮化镓外延层中的缺陷减少
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。
机译:氮化镓垂直肖特基二极管,在电极和轻掺杂层的周围分别设有重掺杂的p型和n型氮化镓保护环,其中电极布置在轻掺杂层上
机译:LED包括由N型掺杂材料制成的第一层的厚部分,由N型掺杂材料制成的第二层的厚部分,该第二层被由薄层组成并由P型氮化镓层覆盖的叠层覆盖,并且具有空腔
机译:形成氮化铟镓包括在腔室内提供氮化镓层,以及在氮化镓层的表面上外延生长氮化铟镓层。
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