06 Выращивание ориентированных пленок AIN на подложках сапфира атомно-слоевого осаждения

摘要

Исследована возможность использования метода плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения для выращивания ориентированных пленок A1N на подложках Al_2O_3 при температурах менее 300°С. Проведены исследования образцов методами рентгенофазового анализа и эллипсометрии. Показано, что при длительностях плазменной экспозиции боле 20 s осаждаются пленки, обладающие показателем преломления, равным 2.03 ±0.03. На рентгенограммах этих образцов присутствуют рефлексы (0002) и (0004) при углах 2Θ, равных 35.7° и 75.9°, характерные для гексагонального политипа AlN. У наилучшего образца для рефлекса (0002) ширина кривой качания на полувысоте интенсивности (FWHM) составила порядка 162 ±11 arcsec.