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机译:基于AlGaSb / InGaAs异质结层的垂直纳米线隧穿场效应晶体管的设计优化
Tunneling field-effect transistors; Low-standby power; AlGaSb/InGaAs; Broken energy-bandgap; Gate-all-around;
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机译:InGaAs / Inas / InGaAs异质结基电子孔双层隧道FET设计优化与分析
机译:Ingaas-Inp核心壳纳米线/ Si结用于垂直隧道场效应晶体管
机译:设计优化基于InGaAs / GaAsSb的异质结全方位栅(GAA)拱形隧道效应场效应晶体管(A-TFET)
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:锗基栅金属芯垂直纳米线隧道FET的设计与优化
机译:InGaAs纳米线/ Si异质结在隧道场效应晶体管中的电流增量