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机译:通过使用AlCl_3的气相诱导结晶和脉冲快速热退火的顺序组合,在多晶硅薄膜中生长非常大的晶粒
Crystallization of a-Si film; Polycrystalline film; Pulsed rapid thermal annealing; Thin film transistor; Vapor induced crystallization;
机译:通过使用AlCl_3的气相诱导结晶和脉冲快速热退火的顺序组合,在多晶硅薄膜中生长非常大的晶粒
机译:热线化学气相沉积a-Si:H膜的快速热退火:膜中氢含量对结晶动力学,表面形态和晶粒生长的影响
机译:使用热线化学气相沉积法在铝诱导的晶种层上直接生长大晶粒多晶硅膜
机译:多脉冲快速热退火形成的多晶硅薄膜-本征a-Si膜厚度效应
机译:通过快速热化学气相沉积在硅上形成β-碳化硅薄膜的成核,外延生长和表征。
机译:通过水下激光退火结晶成多晶硅薄膜并同时灭活电缺陷
机译:脉冲热退火对局部生长多晶硅薄膜光电性能的影响