Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером

摘要

Представлены результаты экспериментальных исследований полупроводниковых лазеров на основе гетероструктур AlGaInAs/InP с различными барьерными слоями. Показано, что использование напряженных слоев с увеличенной шириной запрещенной зоны в качестве блокирующих барьеров, ограничивающих утечку носителей, позволяет увеличить выходную мощность при том же токе накачки.