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中性粒子ビーム加工プロセス技術による欠陥のないエッジ構造をもつグラフェンナノリボンの実現

机译:中性粒子束加工工艺技术实现具有非缺陷边缘结构的石墨烯纳米孔

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摘要

半導体産業は世界的な競争のもと,新材料の導入や微細化研究が盛hである.特にトランジスタは半導体産業の最大の牽引車であり,国際競争を勝ち抜くために,その高性能化の研究は極めて重要である.集積回路の高性能化には回路の微細化が不可欠であるが,現在の2次元平面的広がりを必要とする素子技術では,微細化した回路素子からのリーク電流による発熱が大きくなりすぎて,技術世代22ナノメートル以降の超高集積回路の実現は難しいとされている.
机译:根据全球竞争,半导体行业是新材料的引入和小型化研究。 特别是,晶体管是半导体行业最大的牵引力,研究其高性能的研究对于赢得国际竞争非常重要。 尽管电路的小型化对于高性能的集成电路是必不可少的,但在需要电流二维平面扩散的元件技术中,由于小型电路元件的漏电流导致的发热变得太大,因此认为难以实现超级22纳米技术生成后的高集成电路。

著录项

  • 来源
    《化学工業》 |2014年第2期|共4页
  • 作者

    寒 川 誠 二;

  • 作者单位

    東北大学流体科学研究所原子分子材料高等研究機構;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 jpn
  • 中图分类 化学工业;
  • 关键词

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