電子ビーム蒸着法により作製したMgB2／Ni多層薄膜の磁束ピンニング特性

摘要

電子ビーム蒸着法で作製されたMgB_2超伝導薄膜は，柱状結晶成長するため，結晶粒界がピンニングセンターとして働き，膜面に垂直な方向の磁場に対して高い臨界電流密度J_cを示すことが報告されている．また，酸素雰囲気中で成膜することにより，MgOが主に結晶粒界に沿って導入され，結晶粒界による磁束ピンニングが強化されることも報告されている．しかし，印加磁場方向によるJ_cの大きな異方性を抑制するためには，さらに膜面に対して平行に磁場を印加したときに有効に働くピンニングセンターの導入が必要となる．