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岳军伟; 许晨; 宇霄; 钱海; 孙雅馨;
安徽工业大学材料科学与工程学院 安徽马鞍山243032;
河北工业大学材料科学与工程学院 天津300400;
MgB2; C6H6掺杂; 临界电流密度; 磁通钉扎;
机译:掺杂Si和SiCl4的MgB2超导体中磁通钉扎的比较:不同钉扎机制共存的证据
机译:Ti和C共掺杂MgB2超导体的磁通钉扎行为
机译:掺杂酒石酸的MgB2超导体中磁通钉扎的增强
机译:含和不含SiC掺杂的超导MgB_2中的临界电流密度和磁通钉扎特性
机译:纳米磁性结构的制备与表征及其对超导薄膜的磁通钉扎效应。
机译:Cr0.0005NbSe2单晶在静水压力下的超导性能增强和磁通钉扎机制
机译:磁通量钉扎和不可逆场的显着改善 纳米碳掺杂mgB2超导体
机译:使用磁通量流动噪声技术研究超导体中的磁通钉扎和磁通流动。最终技术报告,1977年4月1日至1984年3月31日
机译:超导轴承中磁通钉扎机制的避雷特性测试装置
机译:薄膜型MGB2超导长线的制造方法及使用该方法的薄膜型MGB2超导长线的制造装置及使用该方法制备的薄膜型MGB2超导长线的制造装置
机译:基于MOCVD的稀土掺杂超导体的Nb掺杂钙钛矿通量钉扎
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