临界电流密度
临界电流密度的相关文献在1983年到2022年内共计392篇,主要集中在电工技术、物理学、金属学与金属工艺
等领域,其中期刊论文299篇、会议论文46篇、专利文献145565篇;相关期刊101种,包括全球科技经济瞭望、现代物理知识、材料导报等;
相关会议21种,包括第六届全国腐蚀大会、2010中国材料研讨会、第十届超导学术交流会等;临界电流密度的相关文献由850位作者贡献,包括冯勇、周廉、张平祥等。
临界电流密度—发文量
专利文献>
论文:145565篇
占比:99.76%
总计:145910篇
临界电流密度
-研究学者
- 冯勇
- 周廉
- 张平祥
- 刘向宏
- 李成山
- 赵勇
- 闫果
- 马衍伟
- 卢亚锋
- 吴晓祖
- 纪平
- 李建峰
- 樊占国
- 熊晓梅
- 陶伯万
- 姚希贤
- 李晓光
- 武博
- 王庆阳
- 王雷
- 陈自力
- 刘建伟
- 史一功
- 张现平
- 徐晓燕
- 熊杰
- 郑会玲
- 韩征和
- 高召顺
- 刘国庆
- 刘奉生
- 刘敏
- 刘春芳
- 张宏
- 李凤华
- 李际周
- 王智河
- 王栋樑
- 索红莉
- 蒲明华
- 赵新杰
- 阎少林
- 马麟
- 丁世英
- 何明
- 刘志勇
- 刘永长
- 徐政
- 徐胜
- 方兰
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张嘉颖;
袁玖玮;
张玉凤;
娄紫微;
周文礼;
张晓娟;
彭麟;
徐燕;
徐建明;
杨瑰婷;
和泉充
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摘要:
本工作在空气中成功地制备了直径为32 mm、厚度为13 mm的高性能、大尺寸GdBa_(2)Cu_(3)O_(7-δ)(GdBCO)单畴超导块材。以YBa_(2)Cu_(3)O_(7-δ)(Y123)作为液相源可以有效地避免生长过程中液相源的扩散流失,并有利于GdBCO超导块材的性能提升。通过研究该超导块材的超导性能和微观结构发现,整个样品的超导转变温度保持在94 K以上,最大捕获磁场(B_(trap))可以达到0.29 T。在77 K的温度及自场条件下,由于Gd_(2)BaCuO_(5)(Gd211)粒子的富集,在距样品表面较远的边缘位置的B2样品中获得最大临界电流密度,其值可达5.29×10^(4)A/cm^(2)。在离超导块材表面较近的区域,液相源的不足使得该区域的钉扎中心主要由氧缺陷来提供,而氧缺陷形成的磁通钉扎中心在籽晶下方聚集,并且其扩散速率会随着氧缺陷与籽晶间距离的增加而减小,这提高了籽晶下方位置的C1样品的临界电流密度,使之高于边缘位置的B1样品的临界电流密度。而在离超导块材表面稍远的区域,充足的液相源使该区域的钉扎中心主要由Gd211粒子来提供,而籽晶下方位置的C2样品和边缘位置的B2样品的临界电流密度相差不大,这是由于在离块材表面稍远的区域都存在大量的Gd211粒子作为磁通钉扎中心;并且由于Gd^(3+)对Ba^(2+)的替代,两者的临界电流密度在中高场下都有一定的提高,这对超导块材的应用非常重要。
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赵倩;
秦保军;
平学成;
龚闯闯
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摘要:
寻找满意的第三组元并通过简单的化学掺杂获得高性能的MgB_(2)超导体,对推进MgB_(2)的实用化进程有着十分重要的意义。采用盐模板冻干法合成了三维碳(3DC)和三维碳负载镍(3DC/Ni)两种粉末,并通过原位掺杂的方式使用固相烧结法分别制备了含有这两种添加剂的MgB_(2)块材。借助X射线衍射技术及扫描电子显微镜对3DC掺杂MgB_(2)和3DC/Ni掺杂MgB_(2)的物相组成及微观形貌进行了表征,同时结合磁学测量系统探究了两种添加剂对MgB_(2)超导性能的影响。结果表明,3DC可以形成有效的碳掺杂提高MgB_(2)在高场下的载流性能;掺杂3DC/Ni后在Mg-Ni低温液相辅助烧结及3DC提供形核位点的协同作用下改善了MgB_(2)的晶粒连接性,同时也提高了MgB_(2)的磁通钉扎能力。采用冻干法合成的Ni颗粒在纳米尺度,解决了小尺寸掺杂易团聚的问题,但由于Ni为磁性粒子,使3DC/Ni掺杂MgB_(2)的临界电流密度(J_(c))没有明显提高。寻找一种更有效的金属纳米粒子是今后的尝试方向。
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摘要:
高温超导YBCO(钇、钡、铜合金氧化物)块材因其高临界温度、高临界电流密度和高俘获磁场的优异性能,在无接触磁悬浮、储能旋转机械、准永磁体、混音器、磁透镜、便携式医疗器械、滤波器、航天导航陀螺等新型高性能器件与电磁装置开发研制中有着广泛的应用前景。尤其对于旋转机械、航天导航陀螺和便携式医疗器械的研制开发,在保持超导性的前提下,制备出更轻质的超导材料是这类应用追求的一个主要目标。兰州大学周又和教授团队提出了绿色环保的YBCO超导材料高精度直接书写式3D打印方法,解决了非牛顿流体陶瓷浆料配比和流变控制难题,并采用低温冷铸微结构调控策略,克服了超导块材烧结收缩开裂的问题,实现了复杂多尺度多层级、超轻超导块材的高效可控制备,通过性能表征,获得了最佳性能的工艺过程参数。
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何东;
徐文博;
胡文鹏;
程大伟;
童靓
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摘要:
本文研究了退火温度对用水基溶胶-凝胶工艺在LaAlO3(100)单晶衬底上沉积的YBCO薄膜性能的影响。研究发现,随着温度的升高,薄膜的面内取向得到了优化,而薄膜的面外取向则不然。在789°C退火的YBCO薄膜在77 K和0 T条件下的临界电流密度Jc达到了1.7 MA/cm^(2)。而其他温度退火的薄膜的缺陷可能会导致YBCO超导电性变差。然而,这些薄膜中存在的残余应力应变也有助于增强其钉扎力并改善薄膜外加场下的电性能。
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桑丽娜;
李敏娟;
张义邴;
朱红妹;
彭麟;
李文献;
蔡传兵
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摘要:
我们对Y(Dy)Ba_(2)Cu_(3)O_(7-δ)涂层导体的超导转变温度T_(c)、临界电流密度J_(c)、上临界磁场H_(c2)、不可逆场H_(irr)、热激活能U_(0)和磁通钉扎机理进行了系统的研究。结果显示当磁场垂直于(H//c)和平行于(H//ab)样品表面的方向,电阻率的展宽行为有明显的差别,说明电阻率具有很强的磁场诱导的面间各向异性。根据热激活的磁通运动理论,当外加磁场平行于样品表面(H//ab)时,钉扎相对于磁场垂直于样品表面(H//c)时要强,α值分别为0.5和0.57,说明涂层导体在H//c和H//ab时均属于面钉扎类型。
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梁超;
张洁;
赵可;
羊新胜;
赵勇
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摘要:
铁基超导体FeSexTe1-x由于其具有上临界场高、各向异性小、临界电流密度大等优点, 备受研究者的广泛关注. 本文采用自助溶剂法生长得到了几种Se/Te组分比例不同的FeSexTe1-x单晶样品, 对其结构和形貌进行了表征, 并且对样品在低温下的磁性进行了测量. 对样品超导态下临界电流密度、磁通钉扎力和磁场的关系进行了分析, 讨论了样品在低温下的磁通钉扎模式. 通过分析Se和Te的不同比例对上述性能的影响,确定了超导性能最佳的组分, 为今后进一步研究FeSexTe1-x的超导与拓扑性质提供了参考.
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谢忠洲;
王莹;
李钟昊;
李贞
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摘要:
提高高温超导体的临界电流密度是实现超导技术商业化发展性能与成本之间均衡的重要策略。在超导体中开发有效的纳米级人工钉扎中心是过去10年高温超导材料研究中的最大进展之一。从几何学的角度来说,超导体中的钉扎结构可以分为4类:零维钉扎中心、一维钉扎中心、二维钉扎中心和三维钉扎中心。对不同钉扎结构所产生的钉扎效果及其钉扎机制进行了系统的总结与阐述。经过对比分析得到了磁性材料掺杂效果比非磁性材料更好的结论,因此未来应该在磁性掺杂方面做更多的研究。
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谢忠洲;
王莹;
李钟昊;
李贞
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摘要:
提高高温超导体的临界电流密度是实现超导技术商业化发展性能与成本之间均衡的重要策略.在超导体中开发有效的纳米级人工钉扎中心是过去10年高温超导材料研究中的最大进展之一.从几何学的角度来说,超导体中的钉扎结构可以分为4类:零维钉扎中心、一维钉扎中心、二维钉扎中心和三维钉扎中心.对不同钉扎结构所产生的钉扎效果及其钉扎机制进行了系统的总结与阐述.经过对比分析得到了磁性材料掺杂效果比非磁性材料更好的结论,因此未来应该在磁性掺杂方面做更多的研究.
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李配军;
白忠;
王智河;
吴王杰;
张宏;
邱里
- 《第十届超导学术交流会》
| 2009年
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摘要:
我们测量了Li掺杂YBa2Cu3Oy晶体的交流磁化率,从交流磁化率曲线的实部提取出晶体在临界温度附近的临界电流密度,我们得到临界电流密度与温度的关系为Jc(T)∝(1-T/Tc)1.38,与传统的最大耗散法获得临界电流密度和温度关系相一致.并且讨论了临界温度Tc附近的有效激活能.
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李凤华;
高锋;
李英楠;
樊占国;
卢亚峰;
李成山;
刘国庆
- 《第十届超导学术交流会》
| 2009年
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摘要:
以Y、Ba、Cu的乙酸盐为原料,以丙酸、吡啶、甲醇等为溶剂,配制得到YBCO薄膜的前驱液.以单晶(100)LaAlO3为基底,4000r/min的转速将前驱液旋转涂覆90s后,在130°C干燥10min,如此循环三次得到YBCO预处理膜.随后在氩气下.450°C恒温60min,再在790°C下恒温180min,之后在470°C下吸氧240min,得到最终YB-CO薄膜.通过X射线衍射分析薄膜取向、扫描电镜观察薄膜表面形貌、标准四引线法测量薄膜的超导转变温度Tc和临界电流密度Jc,考察了前驱液组成对YBCO薄膜表面质量的影响.结果表明,以Y、Ba、Cu的乙酸盐为前驱物,以丙酸为溶剂,以吡啶为螯合剂形成的前驱液制备的薄膜质量最好,当热处理温度为830°C时,该薄膜的Jc值达2.4×104A/Cm2(77 K,0T),其Tc为89K
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游峰;
季鲁;
谢清连;
王争;
赵新杰;
方兰;
阎少林
- 《第十届超导学术交流会》
| 2009年
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摘要:
本文报道在蓝宝石基片上采用CeO2作为缓冲层制备TI2Ba2caCu2O8超导薄膜.采用射频磁控溅射的方法生长CeO2缓冲层,分别使用了氧化铈和金属铈作为溅射靶材.测试结果表明,在最优化生长条件下都可以生长出高度c轴取向的CeO2缓冲薄膜,且具有很好的结晶质量和表面形貌,采用金属铈溅射靶具有较高的溅射速率.rn 利用DC磁控溅射和后热处理的方法在缓冲层上制备了TI-2212超导薄膜.超导薄膜具有致密的结构和均匀的表面形貌.X射线θ~2θ扫描、ω扫描和Φ扫描结果表明,薄膜具有非常纯的TI-2212相,为高度的c轴取向且外延生长在CeO2缓冲层上.电磁测试结果表明,薄膜具有良好的超导电性,临界转变温度Tc约104K,临界电流密度Jc(77K,0T)约为3MA/cm2,微波表面电阻Rs(77K,10GHz)约390μΩ。
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李英楠;
李凤华;
张聪聪;
樊占国;
李成山;
卢亚峰
- 《第十届超导学术交流会》
| 2009年
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摘要:
用三氟乙酸(TFA)金属有机物沉积(MOD)方法在LaAlO3(100)基底上生长YBa2Cu3 O7-aYBCO超导薄膜,研究了向前驱液中添加聚乙烯吡咯烷酮(PVP)对YBCO薄膜微结构和超导性能的影响.涂膜在氧气环境中进行200~250°C热解,再经775°C氩气环境下结晶后获得Y13C0超导薄膜.在相同热处理条件下,未添加PVP的前驱液制得的YBCO薄膜临界电流密度为4050 A/cm2,添加PVP的前驱液制得的YBCO薄膜临界电流密度为5800 A/cm2.后者表现出较少的孔洞,较强的c轴取向,较纯的双轴织构和较高的临界电流密度.因此,向前驱液中添加PVP的化学方法可以改进YBCO涂层导体的MOD制备过程.总压,氧分压和热处理温度等工艺条件将进一步优化,以提高临界电流密度.