MgB2

摘要： MgB2超导转变温度可达39 K,结构简单,临界电流密度高.由于MgB2可以承载高电流密度和磁场,从而在超导电子器件领域具有很大的应用潜能.电子器件是以薄膜为基础的,因此制备出性能优越的MgB2超导薄膜尤为重要.文章通过将脉冲激光沉积法、分子束外延法、化学气相沉积法和混合物理化学气相沉积法、电子束退火法与磁控溅射法制备的MgB2超导薄膜进行比较,分析了磁控溅射法的优越性.简述了磁控溅射法制备MgB2超导薄膜的研究现状及掺杂对MgB2超导薄膜性能的影响,对制备高性能的MgB2超导薄膜具有重要的参考价值.

摘要： Mg(BH_(4))_(2)作为优质的储氢材料,在约300°C开始分解释放H_(2),并最终生成MgB_(2.)由于Mg(BH_(4))_(2)的释氢反应可以在较低的温度下获得MgB_(2),使其成为了制备MgB_(2)超导材料的一种有效途径.本文采用了原位电阻法,通过测量Mg(BH_(4))_(2)分解过程中电阻温度曲线,详细地研究了Mg(BH_(4))_(2)分解生成MgB_(2)的相变过程.同时,利用电阻温度的微分曲线,确定了在分解过程中不同产物的成相温度(TPF).其中,MgB_(2)的成相温度可以低至410°C.通过与粉末烧结法制备MgB_(2)块材的成相温度对比,估算出反应前Mg的颗粒尺寸最低可达3.4 nm.此外,样品的XRD分析给出了生成的MgB_(2)晶粒在10—18 nm之间,在SEM图像中也同样观察到了MgB_(2)纳米纤维结构.这表明,Mg(BH_(4))_(2)分解生成的Mg与B形成了接近原子级的混合,从而使MgB_(2)可以在更低的成相温度(410°C)、更短的反应时间内成相.该方法为MgB_(2)在超导应用的制备提供了新的思路,有利于实现MgB_(2)的工业化生产.

摘要： Mg(BH4)2作为优质的储氢材料,在约300°C开始分解释放H2,并最终生成MgB2.由于Mg(BH4)2的释氢反应可以在较低的温度下获得MgB2,使其成为了制备MgB2超导材料的一种有效途径.本文采用了原位电阻法,通过测量Mg(BH4)2分解过程中电阻温度曲线,详细地研究了Mg(BH4)2分解生成MgB2的相变过程.同时,利用电阻温度的微分曲线,确定了在分解过程中不同产物的成相温度(TPF).其中,MgB2的成相温度可以低至410°C.通过与粉末烧结法制备MgB2块材的成相温度对比,估算出反应前Mg的颗粒尺寸最低可达3.4 nm.此外,样品的XRD分析给出了生成的MgB2晶粒在10—18 nm之间,在SEM图像中也同样观察到了MgB2纳米纤维结构.这表明,Mg(BH4)2分解生成的Mg与B形成了接近原子级的混合,从而使MgB2可以在更低的成相温度(410°C)、更短的反应时间内成相.该方法为MgB2在超导应用的制备提供了新的思路,有利于实现MgB2的工业化生产.

摘要： MgB2作为迄今为止超导转变温度最高的合金超导体,由于其具有结构简单、相干长度长、晶界间不存在弱连接、上临界场很高、电-声散射时间短等特点,M Gb2超导薄膜在电子学领域有着广阔的的应用前景.拉曼光谱是研究电-声子相互作用和超导能带的一种有效方法,且已广泛用于分析M Gb2材料的电子、声子特征以及超导体能带结构,研究表明,样品质量、晶粒尺寸以及测试条件对M Gb2拉曼峰的峰位和峰形影响很大,其中拉曼光谱随温度的变化也是一个研究重点,但目前关于M Gb2变温拉曼光谱的研究,测试的温度范围相对较小,局限在83 K到室温区域或是转变温度附近.研究了大范围温度区间内M Gb2薄膜的拉曼光谱变化,采用混合物理化学沉积法在(0001)SiC衬底上制备了M Gb2多晶薄膜,薄膜的晶粒尺寸约为300 nm,超导转变温度为39.3 K,对其在10～293 K之间的拉曼光谱进行了测试,测量的波数范围为20～1200 cm-1.变温拉曼光谱的测试结果显示,在高频620 cm-1附近以及低频80和110 cm-1附近存在M Gb2的拉曼峰.经分析,低频区域出现的两个拉曼峰的频率与超导能隙宽度相对应,表明M Gb2的双能隙特性.考虑到M Gb2中四种声子模式的拉曼活性,高频620 cm-1附近的拉曼峰应是由E2g振动模所贡献的,且随着测试温度的降低,该拉曼峰的峰位未发生明显的偏移,但半高宽显著变小,从293 K时的380.7 cm-1减小到10 K时的155.7 cm-1,分析表明E2g声子与电子系统的非线性耦合所引起的非简谐效应可能是拉曼峰半高宽线性变小的主要原因.

摘要： MgB2超导材料由于其优异的超导性能和电学参数,是制作超导集成电路的理想材料之一.制备基于MgB2超导薄膜的高质量约瑟夫森结是超导电子学应用的关键.以聚酰亚胺(PI)为抗蚀层,在MgB2超导薄膜上实现微米量级的图形线条制作,以此工艺为基础,结合MgB2超导薄膜的气相化学沉积和晶型B介质层沉积方法,制作了基于MgB2超导材料的约瑟夫森纵向结阵列,并测试了相应结的约瑟夫森效应.

摘要： 该实验使用传导冷却装置研究了以铁和铜作为隔离材料的MgB2的交流损耗特性.通过传导冷却装置将MgB2电线的工作环境冷却到4K,并采用交流脉冲技术测量并评估了它们在几百毫秒范围内的交流损耗特性.测试结果表明Fe/MgB2的交流损耗主要产生在铁制隔离材料周围.它的交流损耗是Cu/MgB2的十倍.在实验中通过使用传导冷却装置记录了交流损耗的测试结果,并且就交流损耗对频率,温度的依赖性也进行了实验,最后对结果进行讨论,并且对该技术进行评估.

摘要： 采用机械合金化和热处理相结合的方法制备了MgB2化合物;采用振动式高能球磨机进行球磨,研究了磨球尺寸、球磨时间、热处理温度、保温时间等对合金化效果的影响,获得了最佳制备工艺参数.结果表明,在保持磨球质量与粉末物料质量比不变的情况下,采用大尺寸不锈钢球(Φ10mm)代替小尺寸球(Φ2mm,Φ5 mm),可以提高球磨时的撞击能量,加速Mg-B粉末的机械合金化;热处理温度不宜超过Mg的熔点,否则Mg粉易发生氧化和挥发;热处理保温时间越长,对产物MgB2物相形成越有利;MgB2的最佳制备工艺参数为:Mg粉和B粉按摩尔比1∶2混合,球磨介质为Φ10mm的不锈钢球,磨球质量与粉末物料质量比20∶1,球磨时间12 min,再将粉末在真空管式炉中进行热处理,升温速率为5°C/min,并在580°C下保温10h.

摘要： MgB2的超导体用MgB4初始粉的质量直接影响MgB2的性能,因此研究MgB4初始粉的制备至关重要.通过改变初始镁粉的纯度、粒径、烧结温度、烧结时间等因素改进MgB4的制备工艺,探究制备MgB2超导体先驱粉高纯MgB4的最佳工艺条件.研究结果表明,烧结温度和时间都会影响MgB4的纯度;初始镁粉粒径会影响最终制备的样品中MgB4的纯度及形貌;而初始镁粉纯度对实际生成的MgB4纯度和形貌影响不大,故选用价格相对便宜的低纯度镁粉制备MgB4,可大大降低制备成本.

摘要： 随着高温超导材料的发展,超导技术已经实现了规模化生产及应用.本文介绍了高温超导材料的国内外发展现状,并结合实用化较多的Bi-2223、YBCO以及MgB2三种超导体的特点,从专利分析视角出发,通过检索、统计和分析国内外相关专利,梳理出了其技术发展脉络,指出了我国高温超导领域的发展优势及其不足.

摘要： 采用微波烧结工艺制备了纳米SiC粉末掺杂的MgB2-xSix/2Cx/2(x=0.00,0.03,0.05,0.10)超导块材。X粉末衍射分析表明,800°C时在流通高纯氩气条件下热处理20min,能形成MgB2主晶相。随着掺杂量的增加,MgB2的晶格参数a、c变小。超导电性的分析结果表明,随着纳米SiC掺杂量的增加,MgB2的临界温度由未掺杂时的38.5K降低至掺杂量x=0.10时的34.5K。T≤20K时,MgB2的Jc(B)性能随纳米SiC掺杂量x的增加逐渐变好,高场时尤为明显。T≥25K时,样品的Jc(B)性能随x的增大而逐步降低。这可能是由于纳米SiC掺杂引起的晶粒变小,作为磁通钉扎中心的晶界面积增加造成的。

摘要： 采用微波烧结工艺制备了纳米SiC粉末掺杂的MgB2-xSix/2Cx/2(x=0.00,0.03,0.05,0.10)超导块材。X粉末衍射分析表明,800°C时在流通高纯氩气条件下热处理20min,能形成MgB2主晶相。随着掺杂量的增加,MgB2的晶格参数a、c变小。超导电性的分析结果表明,随着纳米SiC掺杂量的增加,MgB2的临界温度由未掺杂时的38.5K降低至掺杂量x=0.10时的34.5K。T≤20K时,MgB2的Jc(B)性能随纳米SiC掺杂量x的增加逐渐变好,高场时尤为明显。T≥25K时,样品的Jc(B)性能随x的增大而逐步降低。这可能是由于纳米SiC掺杂引起的晶粒变小,作为磁通钉扎中心的晶界面积增加造成的。

摘要： 采用微波烧结工艺制备了纳米SiC粉末掺杂的MgB2-xSix/2Cx/2(x=0.00,0.03,0.05,0.10)超导块材。X粉末衍射分析表明,800°C时在流通高纯氩气条件下热处理20min,能形成MgB2主晶相。随着掺杂量的增加,MgB2的晶格参数a、c变小。超导电性的分析结果表明,随着纳米SiC掺杂量的增加,MgB2的临界温度由未掺杂时的38.5K降低至掺杂量x=0.10时的34.5K。T≤20K时,MgB2的Jc(B)性能随纳米SiC掺杂量x的增加逐渐变好,高场时尤为明显。T≥25K时,样品的Jc(B)性能随x的增大而逐步降低。这可能是由于纳米SiC掺杂引起的晶粒变小,作为磁通钉扎中心的晶界面积增加造成的。

摘要： 采用微波烧结工艺制备了纳米SiC粉末掺杂的MgB2-xSix/2Cx/2(x=0.00,0.03,0.05,0.10)超导块材。X粉末衍射分析表明,800°C时在流通高纯氩气条件下热处理20min,能形成MgB2主晶相。随着掺杂量的增加,MgB2的晶格参数a、c变小。超导电性的分析结果表明,随着纳米SiC掺杂量的增加,MgB2的临界温度由未掺杂时的38.5K降低至掺杂量x=0.10时的34.5K。T≤20K时,MgB2的Jc(B)性能随纳米SiC掺杂量x的增加逐渐变好,高场时尤为明显。T≥25K时,样品的Jc(B)性能随x的增大而逐步降低。这可能是由于纳米SiC掺杂引起的晶粒变小,作为磁通钉扎中心的晶界面积增加造成的。

摘要： 采用微波烧结工艺制备了纳米SiC粉末掺杂的MgB2-xSix/2Cx/2(x=0.00,0.03,0.05,0.10)超导块材。X粉末衍射分析表明,800°C时在流通高纯氩气条件下热处理20min,能形成MgB2主晶相。随着掺杂量的增加,MgB2的晶格参数a、c变小。超导电性的分析结果表明,随着纳米SiC掺杂量的增加,MgB2的临界温度由未掺杂时的38.5K降低至掺杂量x=0.10时的34.5K。T≤20K时,MgB2的Jc(B)性能随纳米SiC掺杂量x的增加逐渐变好,高场时尤为明显。T≥25K时,样品的Jc(B)性能随x的增大而逐步降低。这可能是由于纳米SiC掺杂引起的晶粒变小,作为磁通钉扎中心的晶界面积增加造成的。

摘要： 采用微波烧结工艺制备了纳米SiC粉末掺杂的MgB2-xSix/2Cx/2(x=0.00,0.03,0.05,0.10)超导块材。X粉末衍射分析表明,800°C时在流通高纯氩气条件下热处理20min,能形成MgB2主晶相。随着掺杂量的增加,MgB2的晶格参数a、c变小。超导电性的分析结果表明,随着纳米SiC掺杂量的增加,MgB2的临界温度由未掺杂时的38.5K降低至掺杂量x=0.10时的34.5K。T≤20K时,MgB2的Jc(B)性能随纳米SiC掺杂量x的增加逐渐变好,高场时尤为明显。T≥25K时,样品的Jc(B)性能随x的增大而逐步降低。这可能是由于纳米SiC掺杂引起的晶粒变小,作为磁通钉扎中心的晶界面积增加造成的。

摘要： 本文利用固相反应法制备了按不同质量比掺杂CNTs的MgB2超导材料.10K时,1﹪掺杂量的样品在零场下Jc=1.89×Acm-2,不可逆场为6.9T,退火以后样品的不可逆场提高到7.5T.20K时,0.5﹪掺杂量的样品在零场下Jc=1.15×Acm-2,不可逆场为4T.样品的钉扎作用主要来自晶粒间的晶面钉扎作用.

摘要： 本文利用固相反应法制备了按不同质量比掺杂CNTs的MgB2超导材料.10K时,1﹪掺杂量的样品在零场下Jc=1.89×Acm-2,不可逆场为6.9T,退火以后样品的不可逆场提高到7.5T.20K时,0.5﹪掺杂量的样品在零场下Jc=1.15×Acm-2,不可逆场为4T.样品的钉扎作用主要来自晶粒间的晶面钉扎作用.

摘要： 本文利用固相反应法制备了按不同质量比掺杂CNTs的MgB2超导材料.10K时,1﹪掺杂量的样品在零场下Jc=1.89×Acm-2,不可逆场为6.9T,退火以后样品的不可逆场提高到7.5T.20K时,0.5﹪掺杂量的样品在零场下Jc=1.15×Acm-2,不可逆场为4T.样品的钉扎作用主要来自晶粒间的晶面钉扎作用.

摘要： 本文利用固相反应法制备了按不同质量比掺杂CNTs的MgB2超导材料.10K时,1﹪掺杂量的样品在零场下Jc=1.89×Acm-2,不可逆场为6.9T,退火以后样品的不可逆场提高到7.5T.20K时,0.5﹪掺杂量的样品在零场下Jc=1.15×Acm-2,不可逆场为4T.样品的钉扎作用主要来自晶粒间的晶面钉扎作用.

摘要： 一种基于MgB4先驱粉的二硼化镁超导线材的镁扩散制备方法，该制备方法基于中心镁扩散技术，使用MgB4作为先驱粉，代替传统硼先驱粉。本发明制备方法的主要步骤包括：一、将原始粉末球磨混合均匀，然后用粉末压片机将混合粉末压成圆片，最后将圆片真空烧结并研碎，得到MgB4粉末；二、将镁棒固定在金属管中心，在镁棒和金属管中间填充MgB4粉末，两端封管后经过旋锻、拉拔、真空热处理，得到MgB2线材。本发明制备的MgB2线材超导芯致密度高、临界电流密度高、超导相填充率高、工程临界电流密度高，在中高磁场下有着优良的超导电性能。

摘要： 本发明属动物疫病检测检疫技术领域，公开了一种用于犬瘟热病毒（CDV）、犬细小病毒（CPV）二重TaqMan MGB荧光定量PCR检测试剂及其检测方法。本发明所述的CDV/CPV二重TaqMan MGB荧光定量PCR检测试剂包含1对基于CDV H基因设计的特异性引物和1条5'端标记为FAM的TaqMan MGB探针，1对基于CPV VP2基因设计的特异性引物和1条5'端标记为VIC的TaqMan MGB探针；所述的二重TaqMan MGB荧光定量PCR检测方法包含2对引物序列、2条TaqMan MGB标记探针序列及标记荧光、总RNA和DNA的制备、反转录、荧光PCR扩增及结果判定等。本发明经过一个PCR反应可同时检测CDV和CPV两种病毒核酸，可同时对CDV/CPV进行快速、特异、敏感的鉴别检测，对犬瘟热、犬细小病毒病的防控具有重要意义。

摘要： 本发明的目的是确立MgB2单晶体的制造手段，提供利用其各向异性的超导特性的有用的超导材料(线材等)。Mg和B的混合原料或含有使该混合原料反应得到的MgB2微晶的前驱体以与六方经BN接触的状态保持在高温高压下(1300～1700°C，3～6GPa)并反应，通过中间产物培育成具有各向异性的超导特性的MgB2单晶体。该单晶体的特征在于根据施加磁场的方向而使得不可逆磁场是第二临界磁场的95%以上，所以通过结晶方向的调整而成为具有优良特性的超导材料。另外，在前述反应时，由于有Mg等还原剂共存，在反应中生成的熔融液中产生温度梯度对单晶成长是有利的。

摘要： 一种基于MgB4先驱粉的二硼化镁超导线材的镁扩散制备方法，该制备方法基于中心镁扩散技术，使用MgB4作为先驱粉，代替传统硼先驱粉。本发明制备方法的主要步骤包括：一、将原始粉末球磨混合均匀，然后用粉末压片机将混合粉末压成圆片，最后将圆片真空烧结并研碎，得到MgB4粉末；二、将镁棒固定在金属管中心，在镁棒和金属管中间填充MgB4粉末，两端封管后经过旋锻、拉拔、真空热处理，得到MgB2线材。本发明制备的MgB2线材超导芯致密度高、临界电流密度高、超导相填充率高、工程临界电流密度高，在中高磁场下有着优良的超导电性能。

摘要： 本发明属动物疫病检测检疫技术领域，公开了一种用于犬瘟热病毒（CDV）、犬细小病毒（CPV）二重TaqManMGB荧光定量PCR检测试剂及其检测方法。本发明所述的CDV/CPV二重TaqManMGB荧光定量PCR检测试剂包含1对基于CDVH基因设计的特异性引物和1条5'端标记为FAM的TaqManMGB探针，1对基于CPVVP2基因设计的特异性引物和1条5'端标记为VIC的TaqManMGB探针；所述的二重TaqManMGB荧光定量PCR检测方法包含2对引物序列、2条TaqManMGB标记探针序列及标记荧光、总RNA和DNA的制备、反转录、荧光PCR扩增及结果判定等。本发明经过一个PCR反应可同时检测CDV和CPV两种病毒核酸，可同时对CDV/CPV进行快速、特异、敏感的鉴别检测，对犬瘟热、犬细小病毒病的防控具有重要意义。

摘要： 本发明公开了一种MgB2/BN/MgB2约瑟夫森结及其制备方法。通过机械手助混合物理化学气相沉积法，无需高真空条件，在2～7Pa真空条件下即可一次性在衬底上原位制得MgB2/BN/MgB2约瑟夫森结。发明方法可以连续生长所需的两层MgB2膜和BN势垒层，避免了生长过程中的杂质污染；利用CVD法生长的BN层性能优良，导热性好，适合作为势垒层，提高了势垒层的致密性，增强了约瑟夫森结工作时热量散发的几率和与MgB2的匹配度。

摘要： 本发明的目的是确立MgB2单晶体的制造手段，提供利用其各向异性的超导特性的有用的超导材料(线材等)。Mg和B的混合原料或含有使该混合原料反应得到的MgB2微晶的前驱体以与六方经BN接触的状态保持在高温高压下(1300～1700°C，3～6GPa)并反应，通过中间产物培育成具有各向异性的超导特性的MgB2单晶体。该单晶体的特征在于根据施加磁场的方向而使得不可逆磁场是第二临界磁场的95％以上，所以通过结晶方向的调整而成为具有优良特性的超导材料。另外，在前述反应时，由于有Mg等还原剂共存，在反应中生成的熔融液中产生温度梯度对单晶成长是有利的。

摘要： 本发明公开了一种千米级多芯MgB2超导线材的制备方法，该方法包括：一、对目标产物的集束组装结构设计；二、将中心Mg棒插入Nb管中后装填CCB粉得到(Mg,CCB)/Nb装管复合体，经旋锻和孔型轧制后得到(Mg,CCB)/Nb单芯棒；三、将亚组元、外包套集束组装得到多组元多芯装管复合体；四、经冷塑性加工得到多芯MgB2线材；五、成相热处理得到千米级多芯MgB2超导线材。本发明通过在粉末装填时采用Cu环两端定位和压实，保证了Mg棒精确地处于中心位置，结合完全压应力变形，解决了Mg棒不连续断裂、偏心等问题，提高了MgB2超导相的成相反应均匀性和连续性，实现了千米级MgB2多芯超导线材的制备。

摘要： 本发明公开了一种千米级矩形截面MgB2超导线材的制备方法，包括以下步骤：一、将铌管插入到铜管中；二、将铌铜管中填装粉末；三、将填装铌铜管进行多道次冷塑性拉拔；四，将镁硼/铌铜单芯棒和无氧铜插棒插装到蒙乃尔合金管中进行集束组装；五、将多芯复合体进行冷塑性加工；六、将半成品线材进行热处理，得到千米级矩形截面MgB2超导线材。本发明以粉末装管为基本工艺路线，采用强度较高且塑性加工性能良好的蒙乃尔合金作为外包套，铌作为阻隔层，无氧铜作为稳定体，优化阻隔层和稳定体等包套材料的位置关系，通过采用旋锻、拉拔、轧制等冷塑性加工工艺并配合热处理，制备出满足实际需求的千米级多芯镁硼矩形截面的超导线材。

摘要： 本发明公开了一种采用无绝缘MgB2线材绕制超导磁体的方法，该方法包括：一、根据目标产物加工线圈骨架、导线槽并预留电极安装位置；二、将无绝缘MgB2线材绕制到线圈骨架上并进行层间绝缘，得到绕制后的磁体；三、成相热处理得到MgB2超导磁体中间体；四、将MgB2超导磁体中间体中MgB2超导线的首、尾端分别与电极焊接并固定到预留安装位置并绝缘隔离得到MgB2超导磁体预制体；五、经固化得到超导磁体。本发明采用无绝缘MgB2线材沿着线圈骨架进行绕制，并进行层间绝缘，使得无绝缘MgB2线材的匝间线材相互接触无绝缘，且层间绝缘，不仅提高了超导磁体的磁场，还实现了对超导磁体的失超保护，提高了超导磁体的稳定性。