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一种具有高磁通钉扎性能YBCO薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种具有高磁通钉扎性能YBCO薄膜的制备方法,具体按照以下步骤实施:在铝酸镧单晶衬底上制备金属氧化物的凝胶膜,将凝胶膜进行干燥处理;将得到的凝胶膜通过特定图形的掩模进行紫外线曝光,再经溶剂洗涤和热处理,制得结晶化的金属氧化物微细图形;制备YBCO凝胶膜,再经热处理和退火处理,制得具有高磁通钉扎性能的YBCO薄膜。本发明利用晶格失配在YBCO基体中诱导形成高密度的纳米级尺寸的晶体缺陷,作为人工钉扎中心,显著增强YBCO薄膜的磁通钉扎性能,提高磁场下YBCO薄膜的临界电流密度,适合大规模工业化生产,为制备高性能钇系或稀土系钡铜氧涂层导体提供一种新方法。

著录项

  • 公开/公告号CN105140385B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-07-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安理工大学;

    申请/专利号CN201510408849.7

  • 发明设计人 雷黎;王秀婷;赵高扬;刘露;

    申请日2015-07-13

  • 分类号

  • 代理机构西安弘理专利事务所;

  • 代理人李娜

  • 地址 710048 陕西省西安市金花南路5号

  • 入库时间 2022-08-23 10:13:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-03

    授权

    授权

  • 2016-01-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L39/12 申请日:20150713

    实质审查的生效

  • 2015-12-09

    公开

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