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半導体ヘテロ構造の電子状態の観測に成功デバイスの改良や不良品率の減少に貢献

机译:观察半导体异质结构观察连续装置的贡献,降低缺陷率

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摘要

NTT物性科学基礎研究所·量子電子物性研究部の平山祥郎部長と鈴木恭一主任研究員らのグループは、低温走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いた走査型トンネル分光法(STS)により、半導体ヘテロ構造中で量子閉じ込めにより形成されたエネルギー準位それぞれに対応する電子状態密度波の観測に成功した。
机译:NTT属性科学基础实验室和Quantum Electronics Hirayama Shiro Hirayama总监和Suzuki研究员,通过扫描隧道光谱(STM)具有低温扫描隧道隧道显微镜(STM)的半导体异质结构成功地观察了与每个相对应的电子状态密度波量子限制形成的能量水平。

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