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【24h】

半導体ヘテロ構造の電子状態の観測に成功デバイスの改良や不良品率の減少に貢献

机译:成功观察到半导体异质结构的电子状态有助于改善器件并降低次品率

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摘要

NTT物性科学基礎研究所·量子電子物性研究部の平山祥郎部長と鈴木恭一主任研究員らのグループは、低温走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いた走査型トンネル分光法(STS)により、半導体ヘテロ構造中で量子閉じ込めにより形成されたエネルギー準位それぞれに対応する電子状態密度波の観測に成功した。
机译:NTT物理研究所量子电子性质研究部门的负责人平山正郎(Shiro Hirayama)和高级研究员铃木京一(Kyoichi Suzuki)通过使用低温扫描隧道显微镜(STM)的扫描隧道光谱(STS)开发了半导体异质结构。我们成功地观察到了与量子限制形成的每个能级相对应的电子态密度波。

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