化学気相成長法を用いて作製した単層グラフェンの積層による2層グラフェンの作製と電気特性

摘要

単層グラフェンを積み重ねることで2層グラフェンを作製した。化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：CVD）法により成長させたグラフェンを、ポリメチルメタクリレート（Poly methyl methacrylate：PMMA）を保護膜としてSiO_2／Si基板へ転写した。Cu箔とPMMA膜を除去するためFe（NO）_3と酢酸を用いてエッチングを行った。この転写·エッチングのプロセスを2回行うことにより2層グラフェンを作製した。この2層グラフェンの電気伝導特性を測定した。シート抵抗は290Kで1300Ω／sqであり、275Kから40Kまでは金属的伝導を示し、40K以下では半導体的伝導を示した。