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机译:一种改进的INP HEMTS的大信号模型
Key Laboratory for RF Circuits and Systems of Ministry of Education Hangzhou Dianzi University Hangzhou 310037 China;
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Key Laboratory for RF Circuits and Systems of Ministry of Education Hangzhou Dianzi University Hangzhou 310037 China;
InP HEMT; large-signal; model;
机译:一种改进的INP HEMTS的大信号模型
机译:基于小信号等效电路的INP HEMTS钝化技术分析与F(T)的分析模型
机译:InAlAs / InGaAs / InAlAs / InP HEMT小信号参数和噪声性能的自洽模型
机译:RC网络的改进InP HEMT小信号模型
机译:III-V INXGA1-XAS / INP MOS-HEMT为100-340GHz通信系统
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:0.1μmAlgan/ GaN高电子迁移率(HEMTS)工艺的改进的大信号模型及其在W频段中实际单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:GaN-HEmT的先进大信号建模。