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机译:使用负二次离子的氩气簇深度剖面中的有机材料 - 接口位置的SIM卡
Natl Phys Lab Teddington TW11 0LW Middx England;
Natl Phys Lab Teddington TW11 0LW Middx England;
Univ Cagliari Dipartimento Fis SP Monserrato Sestu Km 0-700 I-09042 Monserrato CA Italy;
Natl Phys Lab Teddington TW11 0LW Middx England;
Matrix effects; Secondary ion mass spectrometry; Depth profiling; Gas cluster ion beam; Quantification; Interface location; TOF-SIMS; SIMS; GCIB;
机译:使用负二次离子的氩气簇深度剖面中的有机材料 - 接口位置的SIM卡
机译:有机材料中的Delta层的SIMS:氩气团簇深度剖面中的物质,次级离子物种,基质效应和反常结构的数量
机译:有机材料中的Delta层的SIMS:氩气团簇深度剖面中的物质,次级离子物种,基质效应和反常结构的数量
机译:使用XPS和使用氩簇离子束进行软深度轮廓分析来增强有机和无机材料的表面和深度表征
机译:使用ToF-SIMS和簇离子束进行分子深度分析和楔形坑斜切
机译:有机材料的SIMS-使用负二次离子在氩气团簇深度剖面中的界面定位
机译:ISO / TC 201标准概述:ISO 22415表面化学分析 - 二次离子质谱法测定氩气簇溅射深度剖面中的产量体积