...
机译:塑化添加剂对193nm化学扩增阳性抗蚀剂性能的影响
ULSI Device Development Laboratories NEC Corporation 1120 Shimokuzawa Sagamihara Kanagawa 229-1198 Japan;
ULSI Device Development Laboratories NEC Corporation 1120 Shimokuzawa Sagamihara Kanagawa 229-1198 Japan;
ULSI Device Development Laboratories NEC Corporation 1120 Shimokuzawa Sagamihara Kanagawa 229-1198 Japan;
193 nm resists; cyclic olefin/maleic anhydride alternating copolymer; plasticizing additives; glass transition temperature; environmental stability;
机译:塑化添加剂对193nm化学扩增阳性抗蚀剂性能的影响
机译:光酸产生剂掺入聚合物主链中对193 nm化学放大的抗蚀剂行为和光刻性能的影响
机译:直接将PAG掺入聚合物主链中对193 nm反应性离子刻蚀性和EUV化学放大抗蚀剂的影响
机译:基于聚降冰片烯-马来酸酐的193 nm化学放大正性抗蚀剂,具有增塑剂
机译:探索基于溶出抑制剂的非化学放大抗蚀剂,用于193 nm光刻。
机译:不同横向尺寸的石墨烯纳米片作为导电助剂对LiNi0.5Co0.2Mn0.3O2锂离子电池正极材料电化学性能的影响
机译:塑化添加剂对193nm化学扩增阳性抗蚀剂性能的影响。