机译:缓冲层的制造高迁移率透明氧化物半导体,La-掺杂BasnO3
Hokkaido Univ Res Inst Elect Sci Kita Ku N20W10 Sapporo Hokkaido 0010020 Japan;
Hokkaido Univ Grad Sch Informat Sci &
Technol Kita Ku N14W9 Sapporo Hokkaido 0600814 Japan;
Pusan Natl Univ Dept Phys Busan 46241 South Korea;
Pusan Natl Univ Dept Phys Busan 46241 South Korea;
Pusan Natl Univ Dept Phys Busan 46241 South Korea;
Univ Tokyo Inst Engn Innovat Bunkyo Ku 2-11-16 Yayoi Tokyo 1138656 Japan;
Univ Tokyo Inst Engn Innovat Bunkyo Ku 2-11-16 Yayoi Tokyo 1138656 Japan;
Hokkaido Univ Res Inst Elect Sci Kita Ku N20W10 Sapporo Hokkaido 0010020 Japan;
Hokkaido Univ Res Inst Elect Sci Kita Ku N20W10 Sapporo Hokkaido 0010020 Japan;
机译:缓冲层的制造高迁移率透明氧化物半导体,La-掺杂BasnO3
机译:透明导电氧化物层减少三维染料敏化太阳能电池:三维钛电极中离子通道的制备
机译:可印刷的高迁移率透明非晶氧化物半导体的一般路线
机译:高导电深紫外透明氧化物半导体La掺杂SrSnO_3超过〜3000 S cm〜(-1)
机译:透明氧化物半导体:制备,性能和应用。
机译:掺La的BaSnO3超导薄膜中可见光/太赫兹功能电磁结构的THz表征和演示
机译:载流子迁移率在透明氧化物半导体中的大厚度依赖性,La-掺杂BasnO3